内部モデル | RO-TK7J90E,S1E |
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状況 | Original New |
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代替案 | See datasheet |
同上@ VGS(TH)(最大): | 4V @ 700µA |
Vgs(最大): | ±30V |
技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ: | TO-3P(N) |
シリーズ: | π-MOSVIII |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大): | 2 Ohm @ 3.5A, 10V |
電力消費(最大): | 200W (Tc) |
パッケージング: | Tube |
パッケージ/ケース: | TO-3P-3, SC-65-3 |
他の名前: | TK7J90E,S1E(S TK7J90ES1E |
運転温度: | 150°C (TJ) |
装着タイプ: | Through Hole |
水分感受性レベル(MSL): | 1 (Unlimited) |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: | Lead free / RoHS Compliant |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds: | 1350pF @ 25V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs: | 32nC @ 10V |
FETタイプ: | N-Channel |
FET特長: | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン): | 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン: | 900V |
詳細な説明: | N-Channel 900V 7A (Ta) 200W (Tc) Through Hole TO-3P(N) |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id): | 7A (Ta) |
Email: | [email protected] |