内部モデル | RO-TK72E12N1,S1X |
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状況 | Original New |
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代替案 | See datasheet |
同上@ VGS(TH)(最大): | 4V @ 1mA |
Vgs(最大): | ±20V |
技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ: | TO-220-3 |
シリーズ: | U-MOSVIII-H |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大): | 4.4 mOhm @ 36A, 10V |
電力消費(最大): | 255W (Tc) |
パッケージング: | Tube |
パッケージ/ケース: | TO-220-3 |
他の名前: | TK72E12N1,S1X(S TK72E12N1S1X |
運転温度: | 150°C (TJ) |
装着タイプ: | Through Hole |
水分感受性レベル(MSL): | 1 (Unlimited) |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: | Lead free / RoHS Compliant |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds: | 8100pF @ 60V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs: | 130nC @ 10V |
FETタイプ: | N-Channel |
FET特長: | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン): | 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン: | 120V |
詳細な説明: | N-Channel 120V 72A (Ta) 255W (Tc) Through Hole TO-220-3 |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id): | 72A (Ta) |
Email: | [email protected] |