SQ4435EY-T1_GE3
部品型番:
SQ4435EY-T1_GE3
メーカー:
Electro-Films (EFI) / Vishay
説明:
MOSFET P-CHANNEL 30V 15A 8SOIC
在庫数量:
67438 Pieces
配達時間:
1-2 days (We have stocks to ship now)
生産時間:
4-8 weeks
データシート:
SQ4435EY-T1_GE3.pdf

簡潔な

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規格

内部モデル RO-SQ4435EY-T1_GE3
状況 Original New
原産国 Contact us
トップマーク email us
代替案 See datasheet
同上@ VGS(TH)(最大):2.5V @ 250µA
Vgs(最大):±20V
技術:MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:8-SOIC
シリーズ:-
同上、Vgsは@ RDSで、(最大):18 mOhm @ 8A, 10V
電力消費(最大):6.8W (Tc)
パッケージング:Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
運転温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
装着タイプ:Surface Mount
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds:2170pF @ 15V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs:58nC @ 10V
FETタイプ:P-Channel
FET特長:-
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V, 10V
ソース電圧(VDSS)にドレイン:30V
詳細な説明:P-Channel 30V 15A (Tc) 6.8W (Tc) Surface Mount 8-SOIC
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id):15A (Tc)
Email:[email protected]

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