内部モデル | RO-SQ4153EY-T1_GE3 |
---|---|
状況 | Original New |
原産国 | Contact us |
トップマーク | email us |
代替案 | See datasheet |
同上@ VGS(TH)(最大): | 900mV @ 250µA |
Vgs(最大): | ±8V |
技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ: | 8-SOIC |
シリーズ: | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大): | 8.32 mOhm @ 14A, 4.5V |
電力消費(最大): | 7.1W (Tc) |
パッケージング: | Tape & Reel (TR) |
パッケージ/ケース: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
運転温度: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
装着タイプ: | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds: | 11000pF @ 6V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs: | 151nC @ 4.5V |
FETタイプ: | P-Channel |
FET特長: | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン): | 1.8V, 4.5V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン: | 12V |
詳細な説明: | P-Channel 12V 25A (Tc) 7.1W (Tc) Surface Mount 8-SOIC |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id): | 25A (Tc) |
Email: | [email protected] |