SQ4435EY-T1_GE3
- Modèle de produit:
- SQ4435EY-T1_GE3
- Fabricant:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- La description:
- MOSFET P-CHANNEL 30V 15A 8SOIC
- la quantité en dépôt:
- 67438 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Temps de production:
- 4-8 weeks
- Fiche technique:
- SQ4435EY-T1_GE3.pdf
introduction
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Spécifications
| Numéro de pièce interne | RO-SQ4435EY-T1_GE3 |
|---|---|
| État | Original New |
| Pays d'origine | Contact us |
| Top Marking | email us |
| Remplacement | See datasheet |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.5V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur: | 8-SOIC |
| Séries: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 18 mOhm @ 8A, 10V |
| Dissipation de puissance (max): | 6.8W (Tc) |
| Emballage: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Température de fonctionnement: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 2170pF @ 15V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 58nC @ 10V |
| type de FET: | P-Channel |
| Fonction FET: | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé): | 4.5V, 10V |
| Tension drain-source (Vdss): | 30V |
| Description détaillée: | P-Channel 30V 15A (Tc) 6.8W (Tc) Surface Mount 8-SOIC |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 15A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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