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SG2003J-JAN
SG2003J-JAN
部品型番:
SG2003J-JAN
メーカー:
Microsemi
説明:
TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16DIP
RoHSステータス:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
74021 Pieces
配達時間:
1-2 days (We have stocks to ship now)
生産時間:
4-8 weeks
データシート:
SG2003J-JAN.pdf
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規格

内部モデル RO-SG2003J-JAN
状況 Original New
原産国 Contact us
トップマーク email us
代替案 See datasheet
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）:50V
IB、IC @ Vce飽和（最大）:1.6V @ 500µA, 350mA
トランジスタ型式:7 NPN Darlington
サプライヤデバイスパッケージ:16-CDIP
シリーズ:-
電力 - 最大:-
パッケージング:Tube
パッケージ/ケース:16-CDIP (0.300", 7.62mm)
他の名前:1259-1082
1259-1082-MIL
M38510/14103BEA
Q9387418
SG2003JJAN
運転温度:150°C (TJ)
装着タイプ:Through Hole
水分感受性レベル（MSL）:1 (Unlimited)
鉛フリーステータス/ RoHSステータス:Lead free / RoHS Compliant
周波数 - トランジション:-
詳細な説明:Bipolar (BJT) Transistor Array 7 NPN Darlington 50V 500mA Through Hole 16-CDIP
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン（hFEの）（最小）:1000 @ 350mA, 2V
電流 - コレクタ遮断（最大）:-
電流 - コレクタ（Ic）（Max）:500mA
Email:[email protected]

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