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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - bipolaire (BJT) - tableaux > SG2003J-JAN
SG2003J-JAN
SG2003J-JAN
Modèle de produit:
SG2003J-JAN
Fabricant:
Microsemi
La description:
TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16DIP
Statut RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
la quantité en dépôt:
74021 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Temps de production:
4-8 weeks
Fiche technique:
SG2003J-JAN.pdf
Enquête

introduction

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Spécifications

Numéro de pièce interne RO-SG2003J-JAN
État Original New
Pays d'origine Contact us
Top Marking email us
Remplacement See datasheet
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:1.6V @ 500µA, 350mA
Transistor Type:7 NPN Darlington
Package composant fournisseur:16-CDIP
Séries:-
Puissance - Max:-
Emballage:Tube
Package / Boîte:16-CDIP (0.300", 7.62mm)
Autres noms:1259-1082
1259-1082-MIL
M38510/14103BEA
Q9387418
SG2003JJAN
Température de fonctionnement:150°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition:-
Description détaillée:Bipolar (BJT) Transistor Array 7 NPN Darlington 50V 500mA Through Hole 16-CDIP
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce:1000 @ 350mA, 2V
Courant - Collecteur Cutoff (Max):-
Courant - Collecteur (Ic) (max):500mA
Email:[email protected]

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