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IXFT12N100F
IXFT12N100F
Artikelnummer:
IXFT12N100F
Hersteller:
IXYS RF
Beschreibung:
MOSFET N-CH 1000V 12A TO268
RoHS-Status:
Bleifrei / RoHS-konform
Menge auf Lager:
63169 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Produktionszeit:
4-8 weeks
Datenblatt:
IXFT12N100F.pdf
Anfrage

Einführung

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Spezifikation

Interne Teilenummer RO-IXFT12N100F
Bedingung Original New
Herkunftsland Contact us
Top-Markierung email us
Ersatz See datasheet
VGS (th) (Max) @ Id:5.5V @ 4mA
Vgs (Max):±20V
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:TO-268 (IXFT)
Serie:HiPerRF™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:1.05 Ohm @ 6A, 10V
Verlustleistung (max):300W (Tc)
Verpackung:Tube
Verpackung / Gehäuse:TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:14 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:2700pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:77nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET-Merkmal:-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On):10V
Drain-Source-Spannung (Vdss):1000V
detaillierte Beschreibung:N-Channel 1000V 12A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount TO-268 (IXFT)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:12A (Tc)
Email:[email protected]

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