Kartu garis

Winbond Electronics Corporation

- Winbond Electronics Corporation adalah perusahaan IC memori yang bergerak di bidang desain, manufaktur, dan layanan penjualan untuk memberikan solusi memori kualitas terbaik kepada pelanggan globalnya. Lini produk Winbond termasuk Memori Flash Penyimpanan Kode, NAND Serial dan Paralel, DRAM Khusus, dan DRAM Seluler.
Produk Winbond banyak digunakan oleh perusahaan di pasar vertikal IoT seperti komputasi, perangkat multimedia yang terhubung, mobil, sistem jaringan dan industri. Winbond menawarkan produk Flash dan DRAM kelas Industri otomotif dan Industrial dengan dukungan jangka panjang. Winbond memiliki sekitar 2.200 karyawan di seluruh dunia, yang mencakup FAB 12 inci di kantor pusatnya di Taichung, Taiwan.

Nomor bagian	Deskripsi	Melihat
W29GL512PH9B	IC FLASH 512M PARALLEL 64LFBGA	Penyelidikan
W631GG6KB-12 TR	IC DRAM 1G PARALLEL 96WBGA	Penyelidikan
W948D6FBHX5E	IC DRAM 256M PARALLEL 60VFBGA	Penyelidikan
W25Q64FWZPIG TR	IC FLASH 64M SPI 104MHZ 8WSON	Penyelidikan
W25Q128JVFIQ TR	IC FLASH 128M SPI 133MHZ 16SOIC	Penyelidikan
W25Q32FVTCJQ	IC FLASH MEMORY 32MB	Penyelidikan
W25Q64FVZPIQ	IC FLASH 64M SPI 104MHZ 8WSON	Penyelidikan
W25Q16DWZPIG	IC FLASH 16M SPI 104MHZ 8WSON	Penyelidikan
W25Q32FVTCJQ TR	IC FLASH MEMORY 32MB	Penyelidikan
W25Q32FVDAIQ TR	IC FLASH 32M SPI 104MHZ 8DIP	Penyelidikan
W9825G6KH-5	IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP	Penyelidikan
W27C512-45Z	IC EEPROM 512K PARALLEL 28DIP	Penyelidikan
W25Q64JVTCIQ	IC FLASH 64M SPI 133MHZ 24TFBGA	Penyelidikan
W968D6DAGX7I TR	IC PSRAM 256M PARALLEL 54VFBGA	Penyelidikan
W94AD6KBHX5I	IC DRAM 1G PARALLEL 60VFBGA	Penyelidikan
W9425G6JB-5 TR	IC DRAM 256M PARALLEL 60TFBGA	Penyelidikan
W631GU6MB11I TR	IC SDRAM 1GBIT 933MHZ 96WBGA	Penyelidikan
W29GL128CL9C TR	IC FLASH 128M PARALLEL 56TFBGA	Penyelidikan
W25Q40EWUXIE TR	IC FLASH 4M SPI 104MHZ 8USON	Penyelidikan
W631GU6MB-12	IC SDRAM 1GBIT 800MHZ 96BGA	Penyelidikan
W631GG6MB-15	IC SDRAM 1GBIT 667MHZ 96BGA	Penyelidikan
W25X16VSSIG	IC FLASH 16M SPI 75MHZ 8SOIC	Penyelidikan
W9751G6KB25I TR	IC DRAM 512M PARALLEL 84WBGA	Penyelidikan
W971GG8SB-25	IC DRAM 1G PARALLEL 60WBGA	Penyelidikan
W25Q128FVCIP	IC FLASH 128M SPI 24TFBGA	Penyelidikan
W25P16VSSIG	IC FLASH 16M SPI 50MHZ 8SOIC	Penyelidikan
W25X40BVSSIG	IC FLASH 4M SPI 104MHZ 8SOIC	Penyelidikan
W632GU8MB-15	IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ	Penyelidikan
W987D2HBJX6E TR	IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA	Penyelidikan
W25Q32FVXGJQ	IC FLASH MEMORY 32MB	Penyelidikan
W25Q128JVEIM	IC FLASH 128M SPI 133MHZ 8WSON	Penyelidikan
W9812G6KH-6 TR	IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP	Penyelidikan
W25Q64FVSSIQ	IC FLASH 64M SPI 104MHZ 8SOIC	Penyelidikan
W25Q40CLSSIG TR	IC FLASH 4M SPI 104MHZ 8SOIC	Penyelidikan
W25Q64FVSFIG TR	IC FLASH 64M SPI 104MHZ 16SOIC	Penyelidikan
W632GG6KB-15	IC DRAM 2G PARALLEL 96WBGA	Penyelidikan
W25Q257JVFIQ	IC FLASH 256MBIT 16SOIC	Penyelidikan
W25Q16DVSNJP TR	IC FLASH MEMORY 16MB	Penyelidikan
W25Q64CVZPJP	IC FLASH MEMORY 64MB	Penyelidikan
W25Q32FVSSJQ	IC FLASH MEMORY 32MB	Penyelidikan
W25Q16CVZPIG TR	IC FLASH 16M SPI 104MHZ 8WSON	Penyelidikan
W987D6HBGX6I TR	IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA	Penyelidikan
W948D6FBHX5I TR	IC DRAM 256M PARALLEL 60VFBGA	Penyelidikan
W25Q32DWZEIG	IC FLASH 32M SPI 104MHZ 8WSON	Penyelidikan
W25Q64FVXGJQ TR	IC FLASH MEMORY 64MB	Penyelidikan
W25Q32BVSSJG	IC FLASH MEMORY 32MB	Penyelidikan
W25Q80EWUXIE TR	IC FLASH 8M SPI 104MHZ 8USON	Penyelidikan
W25Q32BVSSJG TR	IC FLASH MEMORY 32MB	Penyelidikan
W25X16VZPIG T&R	IC FLASH 16M SPI 75MHZ 8WSON	Penyelidikan
W25Q80JVSSIQ	IC FLASH 8M SPI 133MHZ 8SOIC	Penyelidikan

catatan 1,271

Halaman saat ini:10/26Sebelumnya 2 3 4 5 6 7 8 91011 12 13 14 15 16 Berikutnya Akhir