SI2342DS-T1-GE3
- Modèle de produit:
- SI2342DS-T1-GE3
- Fabricant:
- Vishay / Siliconix
- La description:
- MOSFET N-CH 8V 6A SOT-23
- Statut RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- la quantité en dépôt:
- 50963 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Temps de production:
- 4-8 weeks
- Fiche technique:
- SI2342DS-T1-GE3.pdf
introduction
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Spécifications
| Numéro de pièce interne | RO-SI2342DS-T1-GE3 |
|---|---|
| État | Original New |
| Pays d'origine | Contact us |
| Top Marking | email us |
| Remplacement | See datasheet |
| Tension - Test: | 1070pF @ 4V |
| Tension - Ventilation: | SOT-23 |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 17 mOhm @ 7.2A, 4.5V |
| Vgs (Max): | 1.2V, 4.5V |
| La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Séries: | TrenchFET® |
| État RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 6A (Tc) |
| Polarisation: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Autres noms: | SI2342DS-T1-GE3-ND SI2342DS-T1-GE3TR |
| Température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 24 Weeks |
| Référence fabricant: | SI2342DS-T1-GE3 |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 15.8nC @ 4.5V |
| type de IGBT: | ±5V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 800mV @ 250µA |
| Fonction FET: | N-Channel |
| Description élargie: | N-Channel 8V 6A (Tc) 1.3W (Ta), 2.5W (Tc) Surface Mount SOT-23 |
| Tension drain-source (Vdss): | - |
| La description: | MOSFET N-CH 8V 6A SOT-23 |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 8V |
| Ratio de capacité: | 1.3W (Ta), 2.5W (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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