Interne Teilenummer | RO-SI2342DS-T1-GE3 |
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Bedingung | Original New |
Herkunftsland | Contact us |
Top-Markierung | email us |
Ersatz | See datasheet |
Spannung - Prüfung: | 1070pF @ 4V |
Spannung - Durchschlag: | SOT-23 |
VGS (th) (Max) @ Id: | 17 mOhm @ 7.2A, 4.5V |
Vgs (Max): | 1.2V, 4.5V |
Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
Serie: | TrenchFET® |
RoHS Status: | Tape & Reel (TR) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 6A (Tc) |
Polarisation: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Andere Namen: | SI2342DS-T1-GE3-ND SI2342DS-T1-GE3TR |
Betriebstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart: | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL): | 1 (Unlimited) |
Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 24 Weeks |
Hersteller-Teilenummer: | SI2342DS-T1-GE3 |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 15.8nC @ 4.5V |
IGBT-Typ: | ±5V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 800mV @ 250µA |
FET-Merkmal: | N-Channel |
Expanded Beschreibung: | N-Channel 8V 6A (Tc) 1.3W (Ta), 2.5W (Tc) Surface Mount SOT-23 |
Drain-Source-Spannung (Vdss): | - |
Beschreibung: | MOSFET N-CH 8V 6A SOT-23 |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 8V |
Kapazitätsverhältnis: | 1.3W (Ta), 2.5W (Tc) |
Email: | [email protected] |