Numéro de pièce interne | RO-SI2365EDS-T1-GE3 |
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État | Original New |
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Remplacement | See datasheet |
Vgs (th) (Max) @ Id: | 1V @ 250µA |
Vgs (Max): | ±8V |
La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
Package composant fournisseur: | TO-236 |
Séries: | TrenchFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 32 mOhm @ 4A, 4.5V |
Dissipation de puissance (max): | 1W (Ta), 1.7W (Tc) |
Emballage: | Tape & Reel (TR) |
Package / Boîte: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Autres noms: | SI2365EDS-T1-GE3TR SI2365EDST1GE3 |
Température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage: | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 36nC @ 8V |
type de FET: | P-Channel |
Fonction FET: | - |
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé): | 1.8V, 4.5V |
Tension drain-source (Vdss): | 20V |
Description détaillée: | P-Channel 20V 5.9A (Tc) 1W (Ta), 1.7W (Tc) Surface Mount TO-236 |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 5.9A (Tc) |
Email: | [email protected] |