Numéro de pièce interne | RO-SI2337DS-T1-E3 |
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État | Original New |
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Remplacement | See datasheet |
Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 250µA |
Vgs (Max): | ±20V |
La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
Package composant fournisseur: | SOT-23-3 (TO-236) |
Séries: | TrenchFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 270 mOhm @ 1.2A, 10V |
Dissipation de puissance (max): | 760mW (Ta), 2.5W (Tc) |
Emballage: | Tape & Reel (TR) |
Package / Boîte: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Autres noms: | SI2337DS-T1-E3TR SI2337DST1E3 |
Température de fonctionnement: | -50°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage: | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
Délai de livraison standard du fabricant: | 33 Weeks |
Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 500pF @ 40V |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 17nC @ 10V |
type de FET: | P-Channel |
Fonction FET: | - |
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé): | 6V, 10V |
Tension drain-source (Vdss): | 80V |
Description détaillée: | P-Channel 80V 2.2A (Tc) 760mW (Ta), 2.5W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 2.2A (Tc) |
Email: | [email protected] |