Numéro de pièce interne | RO-SI2342DS-T1-GE3 |
---|---|
État | Original New |
Pays d'origine | Contact us |
Top Marking | email us |
Remplacement | See datasheet |
Tension - Test: | 1070pF @ 4V |
Tension - Ventilation: | SOT-23 |
Vgs (th) (Max) @ Id: | 17 mOhm @ 7.2A, 4.5V |
Vgs (Max): | 1.2V, 4.5V |
La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
Séries: | TrenchFET® |
État RoHS: | Tape & Reel (TR) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 6A (Tc) |
Polarisation: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Autres noms: | SI2342DS-T1-GE3-ND SI2342DS-T1-GE3TR |
Température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage: | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
Délai de livraison standard du fabricant: | 24 Weeks |
Référence fabricant: | SI2342DS-T1-GE3 |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 15.8nC @ 4.5V |
type de IGBT: | ±5V |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 800mV @ 250µA |
Fonction FET: | N-Channel |
Description élargie: | N-Channel 8V 6A (Tc) 1.3W (Ta), 2.5W (Tc) Surface Mount SOT-23 |
Tension drain-source (Vdss): | - |
La description: | MOSFET N-CH 8V 6A SOT-23 |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 8V |
Ratio de capacité: | 1.3W (Ta), 2.5W (Tc) |
Email: | [email protected] |