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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > EPC2021ENGR
EPC2021ENGR
EPC2021ENGR
Modèle de produit:
EPC2021ENGR
Fabricant:
EPC
La description:
TRANS GAN 80V 60A BUMPED DIE
Statut RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
la quantité en dépôt:
81611 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Temps de production:
4-8 weeks
Fiche technique:
EPC2021ENGR.pdf
Enquête

introduction

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Spécifications

Numéro de pièce interne RO-EPC2021ENGR
État Original New
Pays d'origine Contact us
Top Marking email us
Remplacement See datasheet
Tension - Test:1700pF @ 40V
Tension - Ventilation:Die
Vgs (th) (Max) @ Id:2.5 mOhm @ 29A, 5V
La technologie:GaNFET (Gallium Nitride)
Séries:eGaN®
État RoHS:Tape & Reel (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs:60A (Ta)
Polarisation:Die
Autres noms:917-EPC2021ENGRTR
Température de fonctionnement:-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Référence fabricant:EPC2021ENGR
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:15nC @ 5V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:2.5V @ 14mA
Fonction FET:N-Channel
Description élargie:N-Channel 80V 60A (Ta) Surface Mount Die
Tension drain-source (Vdss):-
La description:TRANS GAN 80V 60A BUMPED DIE
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:80V
Ratio de capacité:-
Email:[email protected]

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