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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > EPC2022
EPC2022
EPC2022
Modèle de produit:
EPC2022
Fabricant:
EPC
La description:
TRANS GAN 100V 3MOHM BUMPED DIE
Statut RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
la quantité en dépôt:
30237 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Temps de production:
4-8 weeks
Fiche technique:
EPC2022.pdf
Enquête

introduction

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Spécifications

Numéro de pièce interne RO-EPC2022
État Original New
Pays d'origine Contact us
Top Marking email us
Remplacement See datasheet
Vgs (th) (Max) @ Id:2.5V @ 12mA
Vgs (Max):+6V, -4V
La technologie:GaNFET (Gallium Nitride)
Package composant fournisseur:Die
Séries:eGaN®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:3.2 mOhm @ 25A, 5V
Dissipation de puissance (max):-
Emballage:Original-Reel®
Package / Boîte:Die
Autres noms:917-1133-6
Température de fonctionnement:-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:12 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:1500pF @ 50V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):5V
Tension drain-source (Vdss):100V
Description détaillée:N-Channel 100V 60A (Ta) Surface Mount Die
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:60A (Ta)
Email:[email protected]

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