Sisäinen osanumero | RO-SI3812DV-T1-GE3 |
---|---|
Kunto | Original New |
Maa alkuperä | Contact us |
Alkuun Merkintä | email us |
Korvaus | See datasheet |
Vgs (th) (Max) @ Id: | 600mV @ 250µA (Min) |
Vgs (Max): | ±12V |
teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Toimittaja Device Package: | 6-TSOP |
Sarja: | LITTLE FOOT® |
RDS (Max) @ Id, Vgs: | 125 mOhm @ 2.4A, 4.5V |
Tehonkulutus (Max): | 830mW (Ta) |
Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
Pakkaus / Case: | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Asennustyyppi: | Surface Mount |
Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
Lyijytön tila / RoHS-tila: | Lead free / RoHS Compliant |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 4nC @ 4.5V |
FET tyyppi: | N-Channel |
FET Ominaisuus: | Schottky Diode (Isolated) |
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): | 2.5V, 4.5V |
Valua lähde jännite (Vdss): | 20V |
Yksityiskohtainen kuvaus: | N-Channel 20V 2A (Ta) 830mW (Ta) Surface Mount 6-TSOP |
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 2A (Ta) |
Email: | [email protected] |