Sisäinen osanumero | RO-EPC2033ENGRT |
---|---|
Kunto | Original New |
Maa alkuperä | Contact us |
Alkuun Merkintä | email us |
Korvaus | See datasheet |
Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.5V @ 9mA |
Vgs (Max): | +6V, -4V |
teknologia: | GaNFET (Gallium Nitride) |
Toimittaja Device Package: | Die |
Sarja: | eGaN® |
RDS (Max) @ Id, Vgs: | 7 mOhm @ 25A, 5V |
Tehonkulutus (Max): | - |
Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
Pakkaus / Case: | Die |
Muut nimet: | 917-1141-2 917-1141-2-ND 917-EPC2033ENGRTR |
Käyttölämpötila: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Asennustyyppi: | Surface Mount |
Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
Lyijytön tila / RoHS-tila: | Lead free / RoHS Compliant |
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 1140pF @ 75V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 10nC @ 5V |
FET tyyppi: | N-Channel |
FET Ominaisuus: | - |
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): | 5V |
Valua lähde jännite (Vdss): | 150V |
Yksityiskohtainen kuvaus: | N-Channel 150V 31A (Ta) Surface Mount Die |
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 31A (Ta) |
Email: | [email protected] |