내부 부품 번호 | RO-EPC2033ENGRT |
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조건 | Original New |
국가 원산지 | Contact us |
최고 마킹 | email us |
바꿔 놓음 | See datasheet |
아이디 @ VGS (일) (최대): | 2.5V @ 9mA |
Vgs (최대): | +6V, -4V |
과학 기술: | GaNFET (Gallium Nitride) |
제조업체 장치 패키지: | Die |
연속: | eGaN® |
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대): | 7 mOhm @ 25A, 5V |
전력 소비 (최대): | - |
포장: | Tape & Reel (TR) |
패키지 / 케이스: | Die |
다른 이름들: | 917-1141-2 917-1141-2-ND 917-EPC2033ENGRTR |
작동 온도: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
실장 형: | Surface Mount |
수분 민감도 (MSL): | 1 (Unlimited) |
무연 여부 / RoHS 준수 여부: | Lead free / RoHS Compliant |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: | 1140pF @ 75V |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs: | 10nC @ 5V |
FET 유형: | N-Channel |
FET 특징: | - |
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): | 5V |
소스 전압에 드레인 (Vdss): | 150V |
상세 설명: | N-Channel 150V 31A (Ta) Surface Mount Die |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id): | 31A (Ta) |
Email: | [email protected] |