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WeEn Semiconductors Co., Ltd

WeEn Semiconductors Co., Ltd

- WeEn Semiconductors Co., Ltd ist das globale Joint Venture zwischen NXP Semiconductors NV und Beijing JianGuang Asset Management Co. Ltd (JAC Capital). WeEn Semiconductors wurde am 19. Januar 2016 offiziell mit dem Geschäfts- und Betriebszentrum in Shanghai, China, eröffnet. WeEn Semiconductors ist in der Stadt Nanchang registriert, der Hauptstadt der Provinz Jiangxi in China. Sie besitzt Tochtergesellschaften und Niederlassungen in Jilin City für bipolare Produktion, in Shanghai und Großbritannien für F & E und Produktionsunterstützung, in Hong Kong für Vertriebsaktivitäten und in vielen anderen Ländern für Vertriebs- und Kundendienstleistungen.
Als ein wichtiger Akteur in der Halbleiterindustrie kombiniert WeEn die fortschrittliche Bipolar-Power-Technologie und die starke Ressource von JAC Capital in der chinesischen Fertigungsindustrie und den Vertriebskanälen, um sich auf die Entwicklung eines kompletten Portfolios branchenführender bipolarer Stromversorgungsprodukte einschließlich Silizium-Gleichrichter zu konzentrieren. Leistungsdioden, Hochspannungstransistoren, Siliziumkarbid, die in der Automobil-, Telekommunikations-, Computer- und Unterhaltungselektronik-, intelligenten Haushaltsgerät-, Beleuchtungs- und Energiemanagement-Branche weit verbreitet sind. Ziel ist es, den Kunden zu einer höheren Kosteneffizienz und Produktionseffizienz zu verhelfen und zur Entwicklung Chinas und der globalen intelligenten Fertigung beizutragen.
Das Produktportfolio der NXP Bi-Polar Division (Dioden, Thyristoren und Transistoren) wurde auf WeEn Semiconductors übertragen (19. Januar 2017).
Image Artikelnummer Beschreibung Aussicht
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BT137X-600,127 Image BT137X-600,127 TRIAC 600V 8A TO220-3 Anfrage
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NXL0840,412 Image NXL0840,412 SCR LOGIC LEVEL 400V 0.5A TO-92 Anfrage
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BYC15X-600PQ Image BYC15X-600PQ DIODE GEN PURP 600V 15A TO220F Anfrage
BT134W-600E,115 Image BT134W-600E,115 TRIAC SENS GATE 600V 1A SC73 Anfrage
BT139-600G0Q BT139-600G0/SIL3P/STANDARD MAR Anfrage
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BTA330Y-800CTQ BTA330Y-800CT/SIL3P/STANDARD M Anfrage
BYC30X-600P,127 Image BYC30X-600P,127 DIODE GEN PURP 600V 30A TO220F Anfrage
Z0103MA,116 Image Z0103MA,116 TRIAC SENS GATE 600V 1A TO92-3 Anfrage
BTA206-800ET,127 Image BTA206-800ET,127 TRIAC SENS GATE 800V 6A TO220AB Anfrage
ACTT8X-800CTNQ ACTT8X-800CTN/TO-220F/STANDARD Anfrage
BYT79X-600,127 Image BYT79X-600,127 DIODE GEN PURP 600V 15A TO220F Anfrage
BYV42G-200,127 Image BYV42G-200,127 DIODE ARRAY GP 200V 30A I2PAK Anfrage
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BT300S-600R,118 Image BT300S-600R,118 THYRISTOR 8A 600V DPAK Anfrage
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BTA212X-600B,127 Image BTA212X-600B,127 TRIAC 600V 12A TO220-3 Anfrage
BT139X-600E,127 Image BT139X-600E,127 TRIAC SENS GATE 600V 16A TO220-3 Anfrage
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BYV25X-600,127 Image BYV25X-600,127 DIODE GEN PURP 600V 5A TO220F Anfrage
BYV430W-300PQ DIODE ARRAY GP 300V 30A TO247-3 Anfrage
BYV29FX-600,127 Image BYV29FX-600,127 DIODE GEN PURP 600V 9A TO220F Anfrage
ACTT12X-800CTNQ ACTT12X-800CTN/TO-220F/STANDAR Anfrage
BT136-600/DG,127 Image BT136-600/DG,127 TRIAC 600V 4A TO220AB Anfrage
BT137-600-0Q Image BT137-600-0Q TRIAC 600V 8A SIL3P Anfrage
ACT108-800EML Image ACT108-800EML TRIAC SENS GATE 800V 0.8A TO-92 Anfrage
Aufzeichnungen 873