بطاقة خط

WeEn Semiconductors Co., Ltd

WeEn Semiconductors Co., Ltd

- شركة WeEn Semiconductors Co.، Ltd هي المشروع المشترك العالمي بين NXP Semiconductors N.V و Beijing JianGuang Asset Management Co. Ltd (JAC Capital). تم افتتاح WeEn Semiconductors رسميا في 19 يناير 2016 مع مركز الأعمال والعمليات الموجود في شنغهاي ، الصين. شركة WeEn Semiconductors مسجلة في مدينة نانتشانغ التي تعد عاصمة مقاطعة جيانجزي ، الصين. وتمتلك بالكامل الشركات التابعة والفروع في مدينة جيلين للإنتاج ثنائي القطب ، في شنغهاي والمملكة المتحدة للبحث والتطوير ودعم الإنتاج ، في هونغ كونغ لأنشطة المبيعات ، وفي العديد من البلدان الأخرى لخدمات المبيعات والعملاء ، على التوالي.
وباعتبارها لاعباً رئيسياً في صناعة أشباه الموصلات ، فإن WeEn تجمع بين تكنولوجيا الطاقة المتطورة ثنائية القطب والمورد القوي لشركة JAC Capital في مجال الصناعة التحويلية وقنوات التوزيع الصينية ، للتركيز على تطوير مجموعة كاملة من منتجات الطاقة ثنائية القطبية الرائدة في الصناعة بما في ذلك مقومات السيلكون الخاضعة للرقابة ، الثنائيات الطاقة ، والترانزستورات عالية الجهد ، وكربيد السيليكون التي تستخدم على نطاق واسع في السيارات والاتصالات السلكية واللاسلكية ، وأجهزة الكمبيوتر والالكترونيات الاستهلاكية ، والأجهزة المنزلية الذكية ، والإضاءة ، وأسواق إدارة الطاقة. والهدف هو مساعدة العملاء على تحقيق كفاءة أعلى في التكاليف وكفاءة الإنتاج والمساهمة في تطوير الصين والتصنيع الذكي العالمي.
تم نقل مجموعة منتجات NXP Bi-Polar Division (Diodes، Thyristors & Transistors) إلى WeEn Semiconductors (يناير 19، 2017).
صورة رقم القطعة وصف رأي
BTA225-800B,127 Image BTA225-800B,127 TRIAC 800V 25A TO220AB تحقيق
BTA204-800C,127 Image BTA204-800C,127 TRIAC 800V 4A TO220AB تحقيق
BTA312B-800C,118 Image BTA312B-800C,118 TRIAC 800V 12A D2PAK تحقيق
BTA425X-800BT/L02Q BTA425X-800BT/L02/TO-220F/STAN تحقيق
BT136S-800E,118 Image BT136S-800E,118 TRIAC SENS GATE 800V 4A DPAK تحقيق
BYQ42E-200Q DIODE ARRAY GP 200V 15A TO220AB تحقيق
BTA41-800BQ Image BTA41-800BQ BTA41-800BQ/II TO3P/STANDARD MAR تحقيق
ACTT10-800CTNQ ACTT10-800CTN/SIL3P/STANDARD M تحقيق
BYV25G-600,127 Image BYV25G-600,127 DIODE GEN PURP 600V 5A I2PAK تحقيق
BTA208-600E,127 Image BTA208-600E,127 TRIAC SENS GATE 600V 8A TO220AB تحقيق
BTA312X-800B,127 Image BTA312X-800B,127 TRIAC 800V 12A TO220-3 تحقيق
BTA316X-800C,127 Image BTA316X-800C,127 TRIAC 800V 16A TO220-3 تحقيق
BT138-800/DG,127 Image BT138-800/DG,127 TRIAC 800V 12A TO220AB تحقيق
BYC5B-600,118 Image BYC5B-600,118 DIODE GEN PURP 500V 5A D2PAK تحقيق
BT168E,112 Image BT168E,112 THYRISTOR .8A 500V TO-92 تحقيق
BT139X-600,127 Image BT139X-600,127 TRIAC 600V 16A TO220-3 تحقيق
BYT28-300,127 Image BYT28-300,127 DIODE ARRAY GP 300V 10A TO220AB تحقيق
BT169G-MQP BT169G-M/TO-92/STANDARD MARKIN تحقيق
BUJ302A,127 Image BUJ302A,127 TRANS NPN 400V 4A TO220AB تحقيق
BT151X-650R,127 Image BT151X-650R,127 THYRISTOR 650V 12A SOT186A تحقيق
WNS40H100CBJ WNS40H100CBJ/TO263/REEL 13\" Q1/ تحقيق
BT136S-600,118 Image BT136S-600,118 TRIAC 600V 4A DPAK تحقيق
ACT108-600D/DG,126 Image ACT108-600D/DG,126 TRIAC SENS GATE 600V 0.8A TO92 تحقيق
BT158W-1200TQ BT158W-1200TQ TO-247 تحقيق
BT134-800,127 Image BT134-800,127 TRIAC 800V 4A SOT82-3 تحقيق
BYV29X-600,127 Image BYV29X-600,127 DIODE GEN PURP 600V 9A TO220F تحقيق
BYV25FD-600,118 Image BYV25FD-600,118 DIODE GEN PURP 600V 5A DPAK تحقيق
OT407,116 Image OT407,116 TRIAC SENS GATE 800V 1A TO92-3 تحقيق
BTA316B-600B,118 Image BTA316B-600B,118 TRIAC 600V 16A D2PAK تحقيق
BTA202X-800E,127 Image BTA202X-800E,127 TRIAC SENS GATE 800V 2A TO220-3 تحقيق
BT131-800D,412 Image BT131-800D,412 TRIAC SENS GATE 800V 1A TO92-3 تحقيق
BTA316B-600BT,118 Image BTA316B-600BT,118 TRIAC 600V 16A D2PAK تحقيق
BT137-600G0Q BT137-600G0/SIL3P/STANDARD MAR تحقيق
BTA410Y-800CT,127 TRIAC 800V 10A TO220AB تحقيق
BYC10-600,127 Image BYC10-600,127 DIODE GEN PURP 500V 10A TO220AC تحقيق
BTA316-600D,127 Image BTA316-600D,127 TRIAC SENS GATE 600V 16A TO220AB تحقيق
BT131-600D/L01EP Image BT131-600D/L01EP TRIAC SENS GATE 600V 1A تحقيق
BYC5X-600,127 Image BYC5X-600,127 DIODE GEN PURP 500V 5A TO220F تحقيق
BTA204-600B,127 Image BTA204-600B,127 TRIAC 600V 4A TO220AB تحقيق
BTA204X-800E/L03Q Image BTA204X-800E/L03Q TRIAC SENS GATE 800V 4A تحقيق
BT138-600E/DGQ Image BT138-600E/DGQ TRIAC SENS GATE 600V 12A TO220F تحقيق
MAC97A8/DG,116 Image MAC97A8/DG,116 TRIAC SENS GATE 400V 0.6A TO92 تحقيق
Z0109NA0,412 Image Z0109NA0,412 TRIAC SENS GATE 800V 1A TO92-3 تحقيق
BYV34G-600,127 Image BYV34G-600,127 DIODE ARRAY GP 600V 20A I2PAK تحقيق
BT138-800E,127 Image BT138-800E,127 TRIAC SENS GATE 800V 12A TO220AB تحقيق
BTA316X-600E,127 Image BTA316X-600E,127 TRIAC SENS GATE 600V 16A TO220-3 تحقيق
BYT28-500,127 Image BYT28-500,127 DIODE ARRAY GP 500V 10A TO220AB تحقيق
BTA316-800C/L05Q BTA316-800C L05Q SIL3P STANDARD تحقيق
BTA212-600F,127 Image BTA212-600F,127 TRIAC 600V 12A TO220AB تحقيق
MAC223A8X,127 Image MAC223A8X,127 TRIAC 600V 20A TO220-3 تحقيق
سجلات 873