1N1186
- Número de pieza:
- 1N1186
- Fabricante:
- GeneSiC Semiconductor
- Descripción:
- DIODE GEN PURP 200V 35A DO5
- Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad en inventario:
- 51997 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Tiempo de producción:
- 4-8 weeks
- Ficha de datos:
- 1.1N1186.pdf2.1N1186.pdf
Introducción
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Especificaciones
| Número de parte interno | RO-1N1186 |
|---|---|
| Condición | Original New |
| País de origen | Contact us |
| Marcado superior | email us |
| Reemplazo | See datasheet |
| Tensión - inversa de pico (máxima): | Standard |
| Tensión - directo (Vf) (Max) Si @: | 35A |
| Tensión - Desglose: | DO-5 |
| Serie: | - |
| Estado RoHS: | Bulk |
| Tiempo de recuperación inversa (trr): | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Resistencia @ Si, F: | - |
| Polarización: | DO-203AB, DO-5, Stud |
| Otros nombres: | 1N1186GN |
| Tipo de montaje: | Chassis, Stud Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 10 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | 1N1186 |
| Descripción ampliada: | Diode Standard 200V 35A Chassis, Stud Mount DO-5 |
| configuración de diodo: | 10µA @ 50V |
| Descripción: | DIODE GEN PURP 200V 35A DO5 |
| Corriente - Fuga inversa a Vr: | 1.2V @ 35A |
| Corriente - rectificada media (Io) (por Diode): | 200V |
| Capacitancia Vr, F: | -65°C ~ 190°C |
| Email: | [email protected] |
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