GA10JT12-263
- Artikelnummer:
- GA10JT12-263
- Hersteller:
- GeneSiC Semiconductor
- Beschreibung:
- TRANS SJT 1200V 25A
- RoHS-Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- Menge auf Lager:
- 77463 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Produktionszeit:
- 4-8 weeks
- Datenblatt:
- GA10JT12-263.pdf
Einführung
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Spezifikation
| Interne Teilenummer | RO-GA10JT12-263 |
|---|---|
| Bedingung | Original New |
| Herkunftsland | Contact us |
| Top-Markierung | email us |
| Ersatz | See datasheet |
| VGS (th) (Max) @ Id: | - |
| Vgs (Max): | - |
| Technologie: | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| Supplier Device-Gehäuse: | - |
| Serie: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 120 mOhm @ 10A |
| Verlustleistung (max): | 170W (Tc) |
| Verpackung: | Tube |
| Verpackung / Gehäuse: | - |
| Andere Namen: | 1242-1186 GA10JT12-220ISO GA10JT12220ISO |
| Betriebstemperatur: | 175°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 18 Weeks |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 1403pF @ 800V |
| Typ FET: | - |
| FET-Merkmal: | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): | - |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 1200V |
| detaillierte Beschreibung: | 1200V 25A (Tc) 170W (Tc) Surface Mount |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 25A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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