內部型號 | RO-GA10JT12-263 |
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狀況 | Original New |
原產地 | Contact us |
頂部標記 | email us |
替代 | See datasheet |
VGS(TH)(最大)@標識: | - |
Vgs(最大): | - |
技術: | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
供應商設備封裝: | - |
系列: | - |
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓: | 120 mOhm @ 10A |
功率耗散(最大): | 170W (Tc) |
封装: | Tube |
封裝/箱體: | - |
其他名稱: | 1242-1186 GA10JT12-220ISO GA10JT12220ISO |
工作溫度: | 175°C (TJ) |
安裝類型: | Surface Mount |
濕度敏感度等級(MSL): | 1 (Unlimited) |
製造商標準交貨期: | 18 Weeks |
無鉛狀態/ RoHS狀態: | Lead free / RoHS Compliant |
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds: | 1403pF @ 800V |
FET型: | - |
FET特點: | - |
驅動電壓(最大Rds開,最小Rds開): | - |
漏極至源極電壓(Vdss): | 1200V |
詳細說明: | 1200V 25A (Tc) 170W (Tc) Surface Mount |
電流 - 25°C連續排水(Id): | 25A (Tc) |
Email: | [email protected] |