Interne Teilenummer | RO-AS6C2016-55BIN |
---|---|
Bedingung | Original New |
Herkunftsland | Contact us |
Top-Markierung | email us |
Ersatz | See datasheet |
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite: | 55ns |
Spannungsversorgung: | 2.7 V ~ 5.5 V |
Technologie: | SRAM - Asynchronous |
Supplier Device-Gehäuse: | 48-TFBGA (6x8) |
Serie: | - |
Verpackung: | Tray |
Verpackung / Gehäuse: | 48-TFBGA |
Andere Namen: | 1450-1175 AS6C2016-55BIN-ND |
Betriebstemperatur: | -40°C ~ 85°C (TA) |
Befestigungsart: | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 3 (168 Hours) |
Speichertyp: | Volatile |
Speichergröße: | 2Mb (128K x 16) |
Speicherschnittstelle: | Parallel |
Speicherformat: | SRAM |
Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 8 Weeks |
Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
detaillierte Beschreibung: | SRAM - Asynchronous Memory IC 2Mb (128K x 16) Parallel 55ns 48-TFBGA (6x8) |
Zugriffszeit: | 55ns |
Email: | [email protected] |