內部型號 | RO-AS6C2016-55BIN |
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狀況 | Original New |
原產地 | Contact us |
頂部標記 | email us |
替代 | See datasheet |
寫週期時間 - 字,頁: | 55ns |
電壓 - 電源: | 2.7 V ~ 5.5 V |
技術: | SRAM - Asynchronous |
供應商設備封裝: | 48-TFBGA (6x8) |
系列: | - |
封装: | Tray |
封裝/箱體: | 48-TFBGA |
其他名稱: | 1450-1175 AS6C2016-55BIN-ND |
工作溫度: | -40°C ~ 85°C (TA) |
安裝類型: | Surface Mount |
濕度敏感度等級(MSL): | 3 (168 Hours) |
內存類型: | Volatile |
內存大小: | 2Mb (128K x 16) |
內存接口: | Parallel |
內存格式: | SRAM |
製造商標準交貨期: | 8 Weeks |
無鉛狀態/ RoHS狀態: | Lead free / RoHS Compliant |
詳細說明: | SRAM - Asynchronous Memory IC 2Mb (128K x 16) Parallel 55ns 48-TFBGA (6x8) |
訪問時間: | 55ns |
Email: | [email protected] |