Interne Teilenummer | RO-APT66M60B2 |
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Bedingung | Original New |
Herkunftsland | Contact us |
Top-Markierung | email us |
Ersatz | See datasheet |
VGS (th) (Max) @ Id: | 5V @ 2.5mA |
Vgs (Max): | ±30V |
Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse: | T-MAX™ [B2] |
Serie: | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 100 mOhm @ 33A, 10V |
Verlustleistung (max): | 1135W (Tc) |
Verpackung: | Tube |
Verpackung / Gehäuse: | TO-247-3 Variant |
Andere Namen: | APT66M60B2MI APT66M60B2MI-ND |
Betriebstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart: | Through Hole |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 23 Weeks |
Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 13190pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 330nC @ 10V |
Typ FET: | N-Channel |
FET-Merkmal: | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss): | 600V |
detaillierte Beschreibung: | N-Channel 600V 70A (Tc) 1135W (Tc) Through Hole T-MAX™ [B2] |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 70A (Tc) |
Email: | [email protected] |