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IXFN64N60P
IXFN64N60P
型號:
IXFN64N60P
製造商:
IXYS Corporation
描述:
MOSFET N-CH 600V 50A SOT-227
RoHS狀態:
無鉛/符合RoHS
庫存數量:
83125 Pieces
發貨時間:
1-2 days (We have stocks to ship now)
生產時間:
4-8 weeks
數據表:
IXFN64N60P.pdf
在線詢價

簡單介紹

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產品特性

內部型號 RO-IXFN64N60P
狀況 Original New
原產地 Contact us
頂部標記 email us
替代 See datasheet
VGS（TH）（最大）@標識:5V @ 8mA
Vgs（最大）:±30V
技術:MOSFET (Metal Oxide)
供應商設備封裝:SOT-227B
系列:PolarHV™
RDS（ON）（最大值）@標識，柵極電壓:96 mOhm @ 500mA, 10V
功率耗散（最大）:700W (Tc)
封装:Tube
封裝/箱體:SOT-227-4, miniBLOC
工作溫度:-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型:Chassis Mount
濕度敏感度等級（MSL）:1 (Unlimited)
製造商標準交貨期:24 Weeks
無鉛狀態/ RoHS狀態:Lead free / RoHS Compliant
輸入電容（Ciss）（Max）@ Vds:12000pF @ 25V
柵極電荷（Qg）（Max）@ Vgs:200nC @ 10V
FET型:N-Channel
FET特點:-
驅動電壓（最大Rds開，最小Rds開）:10V
漏極至源極電壓（Vdss）:600V
詳細說明:N-Channel 600V 50A (Tc) 700W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
電流 - 25°C連續排水（Id）:50A (Tc)
Email:[email protected]

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