Čeština
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Svenska Ελλάδα Български език✕
O nás | Kontaktujte nás | Požádejte o nabídku |
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FETs, MOSFETs - Single > IXFN64N60P
IXFN64N60P
IXFN64N60P
Part Number:
IXFN64N60P
Výrobce:
IXYS Corporation
Popis:
MOSFET N-CH 600V 50A SOT-227
Stav RoHS:
Bez olova / V souladu RoHS
Množství na skladě:
83125 Pieces
Čas doručení:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Doba výroby:
4-8 weeks
Datový list:
IXFN64N60P.pdf
Dotaz

Úvod

We can supply IXFN64N60P, use the request quote form to request IXFN64N60P pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number IXFN64N60P.The price and lead time for IXFN64N60P depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# IXFN64N60P.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

Specifikace

Číslo interní součásti RO-IXFN64N60P
Stav Original New
Země původu Contact us
Nejlepší značení email us
Výměna, nahrazení See datasheet
Vgs (th) (max) 'Id:5V @ 8mA
Vgs (Max):±30V
Technika:MOSFET (Metal Oxide)
Dodavatel zařízení Package:SOT-227B
Série:PolarHV™
RDS On (Max) @ Id, Vgs:96 mOhm @ 500mA, 10V
Ztráta energie (Max):700W (Tc)
Obal:Tube
Paket / krabice:SOT-227-4, miniBLOC
Provozní teplota:-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže:Chassis Mount
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL):1 (Unlimited)
Výrobní standardní doba výroby:24 Weeks
Stav volného vedení / RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds:12000pF @ 25V
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs:200nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET Feature:-
Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.):10V
Drain na zdroj napětí (Vdss):600V
Detailní popis:N-Channel 600V 50A (Tc) 700W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C:50A (Tc)
Email:[email protected]

Rychlé Žádost o cenovou nabídku

Part Number
Množství
Společnost
E-mailem
Telefon
Komentáře

Související díly pro IXFN64N60P

Obraz Part Number Výrobci Popis Pohled
IXFN60N80P Image IXFN60N80P IXYS Corporation MOSFET N-CH 800V 53A SOT-227B Dotaz
IXFN80N50 Image IXFN80N50 IXYS Corporation MOSFET N-CH 500V 80A SOT-227B Dotaz
IXFN73N30Q Image IXFN73N30Q IXYS Corporation MOSFET N-CH 300V 73A SOT-227B Dotaz
IXFN64N50P Image IXFN64N50P IXYS Corporation MOSFET N-CH 500V 61A SOT-227 Dotaz
IXFN55N50F Image IXFN55N50F IXYS RF MOSFET N-CH 500V 55A SOT227B Dotaz
IXFN80N50P Image IXFN80N50P IXYS Corporation MOSFET N-CH 500V 66A SOT-227 Dotaz
IXFN72N55Q2 Image IXFN72N55Q2 IXYS Corporation MOSFET N-CH 550V 72A SOT-227B Dotaz
IXFN66N85X Image IXFN66N85X IXYS Corporation 850V/65A ULTRA JUNCTION X-CLASS Dotaz
IXFN55N50 Image IXFN55N50 IXYS Corporation MOSFET N-CH 500V 55A SOT-227B Dotaz
IXFN52N90P Image IXFN52N90P IXYS Corporation MOSFET N-CH 900V 43A SOT227 Dotaz
IXFN62N80Q3 Image IXFN62N80Q3 IXYS Corporation MOSFET N-CH 800V 49A SOT-227 Dotaz
IXFN80N48 Image IXFN80N48 IXYS Corporation MOSFET N-CH 480V 80A SOT-227B Dotaz
IXFN70N120SK Image IXFN70N120SK IXYS Corporation MOSFET N-CH Dotaz
IXFN66N50Q2 Image IXFN66N50Q2 IXYS Corporation MOSFET N-CH 500V 66A SOT-227B Dotaz
IXFN60N60 Image IXFN60N60 IXYS Corporation MOSFET N-CH 600V 60A SOT-227B Dotaz
IXFN56N90P Image IXFN56N90P IXYS Corporation MOSFET N-CH 900V 56A SOT-227B Dotaz
IXFN64N50PD3 Image IXFN64N50PD3 IXYS Corporation MOSFET N-CH 500V 52A SOT-227B Dotaz
IXFN73N30 Image IXFN73N30 IXYS Corporation MOSFET N-CH 300V 73A SOT-227B Dotaz
IXFN70N60Q2 Image IXFN70N60Q2 IXYS Corporation MOSFET N-CH 600V 70A SOT-227B Dotaz
IXFN64N50PD2 Image IXFN64N50PD2 IXYS Corporation MOSFET N-CH 500V 52A SOT-227B Dotaz

Latest News