內部型號 | RO-FDFME2P823ZT |
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狀況 | Original New |
原產地 | Contact us |
頂部標記 | email us |
替代 | See datasheet |
VGS(TH)(最大)@標識: | 1V @ 250µA |
Vgs(最大): | ±8V |
技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
供應商設備封裝: | 6-MicroFET (1.6x1.6) |
系列: | PowerTrench® |
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓: | 142 mOhm @ 2.3A, 4.5V |
功率耗散(最大): | 1.4W (Ta) |
封装: | Tape & Reel (TR) |
封裝/箱體: | 6-UFDFN Exposed Pad |
其他名稱: | FDFME2P823ZT-ND FDFME2P823ZTTR |
工作溫度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
安裝類型: | Surface Mount |
濕度敏感度等級(MSL): | 1 (Unlimited) |
無鉛狀態/ RoHS狀態: | Lead free / RoHS Compliant |
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds: | 405pF @ 10V |
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs: | 7.7nC @ 4.5V |
FET型: | P-Channel |
FET特點: | Schottky Diode (Isolated) |
驅動電壓(最大Rds開,最小Rds開): | 1.8V, 4.5V |
漏極至源極電壓(Vdss): | 20V |
詳細說明: | P-Channel 20V 2.6A (Ta) 1.4W (Ta) Surface Mount 6-MicroFET (1.6x1.6) |
電流 - 25°C連續排水(Id): | 2.6A (Ta) |
Email: | [email protected] |