FDFME2P823ZT
- Part Number:
- FDFME2P823ZT
- Producent:
- ON Semiconductor
- Opis:
- MOSFET P-CH 20V 2.6A 6MICROFET
- Status RoHS:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Ilość w magazynie:
- 60291 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Czas produkcji:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- FDFME2P823ZT.pdf
Wprowadzenie
We can supply FDFME2P823ZT, use the request quote form to request FDFME2P823ZT pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number FDFME2P823ZT.The price and lead time for FDFME2P823ZT depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# FDFME2P823ZT.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation
Specyfikacje
| Wewnętrzny numer części | RO-FDFME2P823ZT |
|---|---|
| Stan | Original New |
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Najlepsze oznaczanie | email us |
| Zastąpienie | See datasheet |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 1V @ 250µA |
| Vgs (maks.): | ±8V |
| Technologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 6-MicroFET (1.6x1.6) |
| Seria: | PowerTrench® |
| RDS (Max) @ ID, Vgs: | 142 mOhm @ 2.3A, 4.5V |
| Strata mocy (max): | 1.4W (Ta) |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | 6-UFDFN Exposed Pad |
| Inne nazwy: | FDFME2P823ZT-ND FDFME2P823ZTTR |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds: | 405pF @ 10V |
| Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs: | 7.7nC @ 4.5V |
| Rodzaj FET: | P-Channel |
| Cecha FET: | Schottky Diode (Isolated) |
| Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On): | 1.8V, 4.5V |
| Spust do źródła napięcia (Vdss): | 20V |
| szczegółowy opis: | P-Channel 20V 2.6A (Ta) 1.4W (Ta) Surface Mount 6-MicroFET (1.6x1.6) |
| Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C: | 2.6A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do FDFME2P823ZT
Latest Aktualności
- Onsemi wprowadziło na mosfet pierwszą opakowanie na poboczu na świecie 650 V
- Zestaw rozwojowy silnika ON Semiconductor koncentruje się przede wszystkim na wydajności energetycznej
- Platforma lidara ON Semiconductor z fotopowielaczem krzemowym (SiPM) z bezpośrednim czasem przelotu (dToF) zapewnia gotowe projekty do zastosowań przemysłowych
- ON Semiconductor i Theta Power Systems International nawiązują współpracę w zakresie aplikacji sterowania silnikami
- ON Semiconductor mianuje Hassane El-Khoury na następcę CEO (CEO)