FDFME2P823ZT
FDFME2P823ZT
部品型番:
FDFME2P823ZT
メーカー:
ON Semiconductor
説明:
MOSFET P-CH 20V 2.6A 6MICROFET
RoHSステータス:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
60291 Pieces
配達時間:
1-2 days (We have stocks to ship now)
生産時間:
4-8 weeks
データシート:
FDFME2P823ZT.pdf

簡潔な

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規格

内部モデル RO-FDFME2P823ZT
状況 Original New
原産国 Contact us
トップマーク email us
代替案 See datasheet
同上@ VGS(TH)(最大):1V @ 250µA
Vgs(最大):±8V
技術:MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:6-MicroFET (1.6x1.6)
シリーズ:PowerTrench®
同上、Vgsは@ RDSで、(最大):142 mOhm @ 2.3A, 4.5V
電力消費(最大):1.4W (Ta)
パッケージング:Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:6-UFDFN Exposed Pad
他の名前:FDFME2P823ZT-ND
FDFME2P823ZTTR
運転温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:Surface Mount
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
鉛フリーステータス/ RoHSステータス:Lead free / RoHS Compliant
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds:405pF @ 10V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs:7.7nC @ 4.5V
FETタイプ:P-Channel
FET特長:Schottky Diode (Isolated)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):1.8V, 4.5V
ソース電圧(VDSS)にドレイン:20V
詳細な説明:P-Channel 20V 2.6A (Ta) 1.4W (Ta) Surface Mount 6-MicroFET (1.6x1.6)
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id):2.6A (Ta)
Email:[email protected]

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