內部型號 | RO-EPC2012CENGR |
---|---|
狀況 | Original New |
原產地 | Contact us |
頂部標記 | email us |
替代 | See datasheet |
電壓 - 測試: | 100pF @ 100V |
電壓 - 擊穿: | Die Outline (4-Solder Bar) |
VGS(TH)(最大)@標識: | 100 mOhm @ 3A, 5V |
技術: | GaNFET (Gallium Nitride) |
系列: | eGaN® |
RoHS狀態: | Tape & Reel (TR) |
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓: | 5A (Ta) |
極化: | Die |
其他名稱: | 917-EPC2012CENGRTR |
工作溫度: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
安裝類型: | Surface Mount |
濕度敏感度(MSL): | 1 (Unlimited) |
製造商零件編號: | EPC2012CENGR |
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds: | 1nC @ 5V |
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs: | 2.5V @ 1mA |
FET特點: | N-Channel |
展開說明: | N-Channel 200V 5A (Ta) Surface Mount Die Outline (4-Solder Bar) |
漏極至源極電壓(Vdss): | - |
描述: | TRANS GAN 200V 5A BUMPED DIE |
電流 - 25°C連續排水(Id): | 200V |
電容比: | - |
Email: | [email protected] |