內部型號 | RO-EPC2015 |
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狀況 | Original New |
原產地 | Contact us |
頂部標記 | email us |
替代 | See datasheet |
VGS(TH)(最大)@標識: | 2.5V @ 9mA |
Vgs(最大): | +6V, -5V |
技術: | GaNFET (Gallium Nitride) |
供應商設備封裝: | Die Outline (11-Solder Bar) |
系列: | eGaN® |
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓: | 4 mOhm @ 33A, 5V |
功率耗散(最大): | - |
封装: | Tape & Reel (TR) |
封裝/箱體: | Die |
其他名稱: | 917-1019-2 |
工作溫度: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
安裝類型: | Surface Mount |
濕度敏感度等級(MSL): | 1 (Unlimited) |
無鉛狀態/ RoHS狀態: | Lead free / RoHS Compliant |
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds: | 1200pF @ 20V |
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs: | 11.6nC @ 5V |
FET型: | N-Channel |
FET特點: | - |
驅動電壓(最大Rds開,最小Rds開): | 5V |
漏極至源極電壓(Vdss): | 40V |
詳細說明: | N-Channel 40V 33A (Ta) Surface Mount Die Outline (11-Solder Bar) |
電流 - 25°C連續排水(Id): | 33A (Ta) |
Email: | [email protected] |