ผู้นำเซมิคอนดักเตอร์ทั่วโลกในการใช้งานอิเล็กทรอนิกส์หลายแบบสารกึ่งตัวนำทั่วไป (stmicroelectronics, st; รหัสตลาดหลักทรัพย์นิวยอร์กรหัส: STM) เปิดตัวทรานซิสเตอร์ Silicon Silicon Carbide รุ่นที่สาม (SIC) MOSFET ทรานซิสเตอร์ [1], ความก้าวหน้าในระบบพลังงานไฟฟ้ารถยนต์ไฟฟ้า อุปกรณ์และในสถานการณ์อื่น ๆ แอปพลิเคชันที่มีความหนาแน่นพลังงานสูงประสิทธิภาพการใช้พลังงานสูงความน่าเชื่อถือสูง

ในฐานะผู้นำในตลาด SIC Power Mosfet เซมิคอนดักเตอร์แบบบูรณาการรวมเทคโนโลยีการออกแบบขั้นสูงการขุดศักยภาพการประหยัดพลังงานของ SIC และยังคงส่งเสริมการเปลี่ยนแปลงของรถยนต์ไฟฟ้าและตลาดอุตสาหกรรม ด้วยการพัฒนาที่เร่งรัดของยานพาหนะไฟฟ้าผู้ผลิตรถยนต์จำนวนมากและซัพพลายเออร์สนับสนุนการใช้ระบบขับเคลื่อน 800V เพื่อเพิ่มความเร็วความเร็วในการชาร์จเพื่อช่วยลดน้ำหนักของยานพาหนะไฟฟ้า ระบบ 800V ใหม่สามารถช่วยให้ผู้ผลิตยานพาหนะผลิตไมล์สะสมได้นานขึ้น อุปกรณ์ SIC รุ่นใหม่สำหรับการเพิ่มประสิทธิภาพการออกแบบเซมิคอนดักเตอร์สำหรับการใช้งานยานยนต์ระดับไฮเอนด์เหล่านี้รวมถึงเครื่องอินเวอร์เตอร์มอเตอร์ไฟฟ้ารถยนต์ไฟฟ้าเครื่องชาร์จในรถยนต์ตัวแปลง DC / DC และเครื่องปรับอากาศเครื่องปรับอากาศอิเล็กทรอนิกส์ ผลิตภัณฑ์รุ่นใหม่ยังเหมาะสำหรับการใช้งานอุตสาหกรรมปรับปรุงประสิทธิภาพการใช้พลังงานของมอเตอร์ไดรฟ์แปลงพลังงานทดแทนและระบบจัดเก็บพลังงานพลังงานโทรคมนาคมอุปกรณ์ไฟฟ้าศูนย์ข้อมูล

Edoardomerli รองประธานฝ่ายผลิตภัณฑ์ STMICOTORS และอุปกรณ์ที่ไม่ต่อเนื่องกล่าวว่า: "เรายังคงพัฒนาเทคโนโลยีที่น่าตื่นเต้นนี้สร้างสรรค์สิ่งใหม่ ๆ ในชิปและแพคเกจอย่างต่อเนื่องในฐานะผู้ผลิตผลิตภัณฑ์โซ่ซัพพลายเชนที่ควบคุมได้อย่างต่อเนื่องเราสามารถให้บริการลูกค้าด้วย ผลิตภัณฑ์ปรับปรุงอย่างต่อเนื่องเราลงทุนในโครงการยานยนต์และอุตสาหกรรมอย่างต่อเนื่องและ 2024 เราจะคาดว่าจะมีรายได้ SIC เซมิคอนดักเตอร์ถึง $ 1 พันล้าน "

STMicroelectronics ปัจจุบันเสร็จสมบูรณ์การรับรองมาตรฐานแพลตฟอร์มเทคโนโลยี SIC รุ่นที่สามผลิตภัณฑ์ส่วนใหญ่ที่ได้มาจากแพลตฟอร์มทางเทคนิคคาดว่าจะเป็นไปตามวุฒิภาวะในเชิงพาณิชย์ก่อนปี 2021 แรงดันไฟฟ้าเล็กน้อยของ 650V, 750V ถึง 1200V จะอยู่ในรายการและนักออกแบบได้รับการพัฒนาจากเมืองสู่กระแสไฟฟ้าและแบตเตอรี่รถยนต์ไฟฟ้าแรงสูงและแหล่งจ่ายไฟชาร์จให้ตัวเลือกเพิ่มเติม ชุดแรกของผลิตภัณฑ์ที่จดทะเบียนคือ SCT160N75G3D8AG ที่มี 650V SCT040H65G3AG และ 750V ตาย

ข้อมูลทางเทคนิคอ้างอิง

เครื่องบินกล้ามเนื้อล่าสุดสำหรับเซมิคอนดักเตอร์ใช้แพลตฟอร์มเทคโนโลยี SIC รุ่นที่สามใหม่เพื่อสร้างมาตรฐานคุณภาพใหม่ (FOM) มาตรฐานและ FOM ที่ได้รับการยอมรับในอุตสาหกรรม ประสิทธิภาพการใช้พลังงานความหนาแน่นของพลังงานและการสลับประสิทธิภาพของทรานซิสเตอร์ การปรับปรุง FOM ด้วยเทคโนโลยีซิลิกอนธรรมดานั้นยากขึ้นดังนั้นเทคโนโลยี SIC จึงเป็นกุญแจสำคัญในการปรับปรุง FOM ต่อไป ผลิตภัณฑ์ SIC รุ่นที่สามของเซมิคอนดักเตอร์จะนำไปสู่ความคืบหน้าของทรานซิสเตอร์ FOM

พื้นที่หน่วยของ Silicon Carbide Mosfet สูงกว่าการจัดอันดับที่รุนแรงกว่า Mosfet ที่ใช้ซิลิกาและเป็นตัวเลือกที่ดีที่สุดสำหรับรถยนต์ไฟฟ้าและโครงสร้างพื้นฐานการชาร์จอย่างรวดเร็ว นอกจากนี้ยังมีข้อได้เปรียบที่ความเร็วในการสลับไดโอดกาฝากนั้นรวดเร็วมากและลักษณะการไหลแบบสองทิศทางในปัจจุบันเหมาะสำหรับยานพาหนะไฟฟ้าในการจัดหาโครงสร้างพื้นฐานจากแบตเตอรี่รถยนต์ไปยังแบตเตอรี่รถยนต์ นอกจากนี้ความถี่การสลับของทรานซิสเตอร์ SIC สูงมากให้อุปกรณ์พาสซีฟที่เป็นไปได้ในระบบจ่ายไฟเพื่อให้อุปกรณ์ไฟฟ้าขนาดกะทัดรัดและมีน้ำหนักเบามากขึ้นสามารถใช้ในยานพาหนะได้ ข้อได้เปรียบของผลิตภัณฑ์เหล่านี้ยังช่วยลดต้นทุนการเป็นเจ้าของในการใช้งานอุตสาหกรรม

Semiconductors รุ่นที่สามมีแพคเกจที่หลากหลายรวมถึง Die, Power Packages (STPAK, H2PAK-7L, HIP247-4L และ HU3PAK) และโมดูลพลังงาน AcePack Series แพคเกจเหล่านี้ให้คุณสมบัติที่เป็นนวัตกรรมใหม่สำหรับนักออกแบบตัวอย่างเช่นแผ่นระบายความร้อนที่ออกแบบมาเป็นพิเศษทำให้การเชื่อมต่อของบอร์ดง่ายขึ้นและการใช้งานรถยนต์ไฟฟ้าของรถยนต์ไฟฟ้าเพื่อให้นักออกแบบสามารถเลือกชิปอเนกประสงค์ตามแอพลิเคชันตัวอย่างเช่น อินเวอร์เตอร์มอเตอร์ไฟฟ้า, เครื่องชาร์จในยานพาหนะ (OBC), แปลง DC / DC, คอมเพรสเซอร์เครื่องปรับอากาศอิเล็กทรอนิกส์, การใช้งานอุตสาหกรรมเช่นอินเวอร์เตอร์พลังงานแสงอาทิตย์, ระบบจัดเก็บพลังงาน, มอเตอร์ไดรฟ์และอุปกรณ์ไฟฟ้า

สำหรับข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับพอร์ตการลงทุนผลิตภัณฑ์ SIC และ MOSFET รุ่นที่สามล่าสุดกรุณาเยี่ยมชม www.st.com/sic-mosfets

[1] MOSFET (ทรานซิสเตอร์สนามเซมิคอนดักเตอร์โลหะออกไซด์โลหะ) เป็นองค์ประกอบพื้นฐานของผลิตภัณฑ์อิเล็กทรอนิกส์ที่ทันสมัย