Wereldwijde halfgeleiderleiders in meerdere elektronische toepassingen Typische halfgeleiders (stmicro-elektronica, st; New York Stock Exchange code: STM) lanceert derde generatie Stpower Silicon Carbide (SIC) MOSFET-transistor [1], vooruitgang in elektrisch voertuig Power System Power De grensaanvraag van de apparaat, en in andere scenario's toepassingen met hoge vermogensdichtheid, hoge energie-efficiëntie, hoge betrouwbaarheid.

Als leider in de Sic Power Mosfet-markt, integreert de geïntegreerde halfgeleider geavanceerde ontwerptechnologie, verdere opgraving van het energiebesparingspotentieel van SIC, en blijft de verandering van elektrische voertuigen en industriële markten bevorderen. Met de versnelde ontwikkeling van elektrische voertuigen gebruiken veel voertuigfabrikanten en ondersteunende leveranciers 800V-aandrijfsystemen om de laadsnelheid te versnellen om het gewicht van elektrische voertuigen te verminderen. Het nieuwe 800V-systeem kan helpen de fabrikanten van het voertuig een lange kilometerstand langer te maken. De nieuwe generatie SIC-apparaten voor de optimalisatie van de halfgeleiderontwerp voor deze high-end automobieltoepassingen, waaronder elektrische voertuigmotor inverters, autoladers, DC / DC-converters en elektronische aircocompressoren. Een nieuwe generatie producten is ook geschikt voor industriële toepassingen, verbetert de energie-efficiëntie van aandrijfmotoren, hernieuwbare energieomvormers en energieopslagsystemen, telecommunicatievermogen, datacenter voedingen.

Edoardomerli, vice-president van de productafdeling van stmicotors en discrete apparaten, zei: "We blijven deze opwindende ontwikkelingsontwikkeling bevorderen, voortdurend innoveren in zowel chips als pakketten. Als een volledig gecontroleerde supply chain SIC-productfabrikant, kunnen we klanten voorzien Performance-continue verbeteringsproducten. We investeren voortdurend in de automobiel- en industriële projecten en 2024 zullen we verwachten dat de semiconductor SiC-inkomsten om $ 1 miljard te bereiken. "

Stmicroelectronics voltooide momenteel de SIM-certificering van de SIM-technologie-platform met de derde generatie, de meeste producten die zijn afgeleid van het technische platform zullen naar verwachting de commerciële looptijd vóór 2021 aangaan. De nominale spanning van 650V, 750V tot 1200V wordt vermeld, en de ontwerpers zijn ontwikkeld van de stad tot elektriciteit en de elektriciteitsvoertuig hoogspanningsbatterijen en opladervoeding bieden meer opties. De eerste batch van beursgenoteerde producten zijn SCT160N75G3D8AG met 650V SCT040H65G3AG en 750V sterven.

Verwijzing Technische informatie

De nieuwste vliegtuig MOSFET's voor halfgeleiders gebruiken een nieuw SiC-technologie-platform van de derde generatie om nieuwe kwaliteitsfactoren (FOM) benchmarks en industrie-erkende FOM-benchmarks vast te stellen, en door de industrie erkende FOM-gebied (tot) x-matrijs en Ron X-raster de extreme lading (QG)] Algoritme vertegenwoordigt de Energie-efficiëntie, vermogensdichtheid en schakelprestaties van transistors. Het verbeteren van FOM met gewone siliciumtechnologie wordt moeilijker, dus SIC-technologie is de sleutel om de FOM verder te verbeteren. Het derde generatie SIC-product van de halfgeleider zal de voortgang van de transistor FOM-voortgang leiden.

Het eenheidsgebied van het siliciumcarbide MOSFET is hoog dan de radicale rating dan de op siliciumdioxide gevestigde MOSFET, en is de beste keuze voor elektrische voertuigen en een snelle oplaadinfrastructuur. Er is ook een voordeel dat de parasitaire diode-schakelsnelheid erg snel is, en de huidige bidirectionele stroomkarakteristieken zijn geschikt voor elektrische voertuigen om de infrastructuur uit de voertuigbatterij op de batterij van het voertuig te leveren. Bovendien is de schakelfrequentie van de SIC-transistor zeer hoog, het verschaffen van een mogelijk passief apparaat in het voedingssysteem, zodat meer compacte en lichtgewicht elektrische apparatuur in het voertuig kan worden gebruikt. Deze productvoordelen helpen ook de kosten van eigendom in industriële toepassingen te verminderen.

De derde generatie halfgeleiders heeft een verscheidenheid aan pakketten, waaronder Die, Discrete Power Packages (STPAK, H2PAK-7L, HIP247-4L, EN HU3PAK) en APEPACK SERIE POWER MODULES. Deze pakketten bieden innovatieve functies aan ontwerpers, bijvoorbeeld, speciaal ontworpen koelbladen vereenvoudigen de aansluiting van het bestuur en de elektrische voertuigtoepassing van het elektriciteitsvoertuig, zodat de ontwerper een special-purpose chip volgens de toepassing kan selecteren, bijvoorbeeld, bijvoorbeeld Motormotoromvormer, in-voertuig oplader (OBC), DC / DC-omzetter, elektronische airconditioningcompressor, industriële toepassingen, zoals zonne-omvormers, energieopslagsystemen, motorrijtuigen en voedingen.

Ga naar www.st.com/sic-mosfets voor meer informatie over SIC-portefeuilles en de nieuwste MOSFET's van de derde generatie

[1] MOSFET (metaaloxide semiconductor veld effect transistor) is een basiscomponent van moderne elektronische producten.