หมายเลขชิ้นส่วนภายใน | RO-TPN11003NL,LQ |
---|---|
เงื่อนไข | Original New |
ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
การสลักด้านบน | email us |
การแทนที่ | See datasheet |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id: | 2.3V @ 100µA |
Vgs (สูงสุด): | ±20V |
เทคโนโลยี: | MOSFET (Metal Oxide) |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | 8-TSON Advance (3.3x3.3) |
ชุด: | U-MOSVIII-H |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs: | 11 mOhm @ 5.5A, 10V |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด): | 700mW (Ta), 19W (Tc) |
บรรจุภัณฑ์: | Tape & Reel (TR) |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | 8-PowerVDFN |
ชื่ออื่น: | TPN11003NL,LQ(S TPN11003NLLQTR |
อุณหภูมิในการทำงาน: | 150°C (TJ) |
ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds: | 660pF @ 15V |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs: | 7.5nC @ 10V |
ประเภท FET: | N-Channel |
คุณสมบัติ FET: | - |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On): | 4.5V, 10V |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss): | 30V |
คำอธิบายโดยละเอียด: | N-Channel 30V 11A (Tc) 700mW (Ta), 19W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.3x3.3) |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส: | 11A (Tc) |
Email: | [email protected] |