TPN11003NL,LQ
TPN11003NL,LQ
部品型番:
TPN11003NL,LQ
メーカー:
Toshiba Semiconductor and Storage
説明:
MOSFET N CH 30V 11A 8TSON-ADV
RoHSステータス:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
55808 Pieces
配達時間:
1-2 days (We have stocks to ship now)
生産時間:
4-8 weeks
データシート:
TPN11003NL,LQ.pdf

簡潔な

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規格

内部モデル RO-TPN11003NL,LQ
状況 Original New
原産国 Contact us
トップマーク email us
代替案 See datasheet
同上@ VGS(TH)(最大):2.3V @ 100µA
Vgs(最大):±20V
技術:MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:8-TSON Advance (3.3x3.3)
シリーズ:U-MOSVIII-H
同上、Vgsは@ RDSで、(最大):11 mOhm @ 5.5A, 10V
電力消費(最大):700mW (Ta), 19W (Tc)
パッケージング:Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:8-PowerVDFN
他の名前:TPN11003NL,LQ(S
TPN11003NLLQTR
運転温度:150°C (TJ)
装着タイプ:Surface Mount
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
鉛フリーステータス/ RoHSステータス:Lead free / RoHS Compliant
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds:660pF @ 15V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs:7.5nC @ 10V
FETタイプ:N-Channel
FET特長:-
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V, 10V
ソース電圧(VDSS)にドレイン:30V
詳細な説明:N-Channel 30V 11A (Tc) 700mW (Ta), 19W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.3x3.3)
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id):11A (Tc)
Email:[email protected]

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