ภาษาไทย
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Svenska Ελλάδα Български език✕
เกี่ยวกับเรา | ติดต่อเรา | ขอใบเสนอราคา |
บ้าน > ศูนย์ผลิตภัณฑ์ > Discrete Semiconductor ผลิตภัณฑ์ > ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - อาร์เรย์ > EPC2103ENG
EPC2103ENG
EPC2103ENG
รุ่นผลิตภัณฑ์:
EPC2103ENG
ผู้ผลิต:
EPC
ลักษณะ:
TRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIE
สถานะ RoHS:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณในสต็อก:
53909 Pieces
เวลาจัดส่ง:
1-2 days (We have stocks to ship now)
เวลาในการผลิต:
4-8 weeks
แผ่นข้อมูล:
EPC2103ENG.pdf
การสอบสวน

บทนำ

We can supply EPC2103ENG, use the request quote form to request EPC2103ENG pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number EPC2103ENG.The price and lead time for EPC2103ENG depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# EPC2103ENG.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

ขนาด

หมายเลขชิ้นส่วนภายใน RO-EPC2103ENG
เงื่อนไข Original New
ประเทศต้นกำเนิด Contact us
การสลักด้านบน email us
การแทนที่ See datasheet
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id:2.5V @ 7mA
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:Die
ชุด:eGaN®
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs:5.5 mOhm @ 20A, 5V
เพาเวอร์ - แม็กซ์:-
บรรจุภัณฑ์:Tray
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:Die
ชื่ออื่น:917-EPC2103ENG
EPC2103ENGRH7
อุณหภูมิในการทำงาน:-40°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:Surface Mount
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds:760pF @ 40V
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs:6.5nC @ 5V
ประเภท FET:2 N-Channel (Half Bridge)
คุณสมบัติ FET:GaNFET (Gallium Nitride)
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss):80V
คำอธิบายโดยละเอียด:Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 80V 23A Surface Mount Die
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส:23A
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ

ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ EPC2103ENG

ภาพ รุ่นผลิตภัณฑ์ ผู้ผลิต ลักษณะ ดู
EPC2105 Image EPC2105 EPC TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID การสอบสวน
EPC2105ENGRT Image EPC2105ENGRT EPC MOSFET 2NCH 80V 9.5A DIE การสอบสวน
EPC2105ENG Image EPC2105ENG EPC TRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIE การสอบสวน
EPC2102ENGRT Image EPC2102ENGRT EPC MOSFET 2 N-CHANNEL 60V 23A DIE การสอบสวน
EPC2106ENGRT Image EPC2106ENGRT EPC TRANS GAN 2N-CH 100V BUMPED DIE การสอบสวน
EPC2100ENG Image EPC2100ENG EPC TRANS GAN 2N-CH 30V BUMPED DIE การสอบสวน
EPC2102ENG Image EPC2102ENG EPC TRANS GAN 2N-CH 60V BUMPED DIE การสอบสวน
EPC2102 Image EPC2102 EPC TRANS GAN SYMMETRICAL HALF BRIDG การสอบสวน
EPC2104ENG Image EPC2104ENG EPC TRANS GAN 2N-CH 100V BUMPED DIE การสอบสวน
EPC2100 Image EPC2100 EPC TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID การสอบสวน
EPC2100ENGRT Image EPC2100ENGRT EPC MOSFET 2 N-CH 30V 9.5A/38A DIE การสอบสวน
EPC2107 Image EPC2107 EPC MOSFET 3 N-CH 100V 9BGA การสอบสวน
EPC2106 Image EPC2106 EPC TRANS GAN SYM 100V BUMPED DIE การสอบสวน
EPC2104 Image EPC2104 EPC TRANS GAN SYMMETRICAL HALF BRIDG การสอบสวน
EPC2104ENGRT Image EPC2104ENGRT EPC MOSFET 2NCH 100V 23A DIE การสอบสวน
EPC2101ENG Image EPC2101ENG EPC TRANS GAN 2N-CH 60V BUMPED DIE การสอบสวน
EPC2101 Image EPC2101 EPC TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID การสอบสวน
EPC2101ENGRT Image EPC2101ENGRT EPC TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID การสอบสวน
EPC2103 Image EPC2103 EPC TRANS GAN SYMMETRICAL HALF BRIDG การสอบสวน
EPC2103ENGRT Image EPC2103ENGRT EPC TRANS GAN SYM HALF BRDG 80V การสอบสวน

ข่าว Latest