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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - tableaux > EPC2103ENG
EPC2103ENG
EPC2103ENG
Modèle de produit:
EPC2103ENG
Fabricant:
EPC
La description:
TRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIE
Statut RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
la quantité en dépôt:
53909 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Temps de production:
4-8 weeks
Fiche technique:
EPC2103ENG.pdf
Enquête

introduction

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Spécifications

Numéro de pièce interne RO-EPC2103ENG
État Original New
Pays d'origine Contact us
Top Marking email us
Remplacement See datasheet
Vgs (th) (Max) @ Id:2.5V @ 7mA
Package composant fournisseur:Die
Séries:eGaN®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:5.5 mOhm @ 20A, 5V
Puissance - Max:-
Emballage:Tray
Package / Boîte:Die
Autres noms:917-EPC2103ENG
EPC2103ENGRH7
Température de fonctionnement:-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:760pF @ 40V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:6.5nC @ 5V
type de FET:2 N-Channel (Half Bridge)
Fonction FET:GaNFET (Gallium Nitride)
Tension drain-source (Vdss):80V
Description détaillée:Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 80V 23A Surface Mount Die
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:23A
Email:[email protected]

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