ภาษาไทย
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Svenska Ελλάδα Български език✕
เกี่ยวกับเรา | ติดต่อเรา | ขอใบเสนอราคา |
บ้าน > ศูนย์ผลิตภัณฑ์ > Discrete Semiconductor ผลิตภัณฑ์ > ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFET - Single > EPC2039ENGRT
EPC2039ENGRT
EPC2039ENGRT
รุ่นผลิตภัณฑ์:
EPC2039ENGRT
ผู้ผลิต:
EPC
ลักษณะ:
TRANS GAN 80V 6.8A BUMPED DIE
สถานะ RoHS:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณในสต็อก:
67831 Pieces
เวลาจัดส่ง:
1-2 days (We have stocks to ship now)
เวลาในการผลิต:
4-8 weeks
แผ่นข้อมูล:
EPC2039ENGRT.pdf
การสอบสวน

บทนำ

We can supply EPC2039ENGRT, use the request quote form to request EPC2039ENGRT pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number EPC2039ENGRT.The price and lead time for EPC2039ENGRT depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# EPC2039ENGRT.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

ขนาด

หมายเลขชิ้นส่วนภายใน RO-EPC2039ENGRT
เงื่อนไข Original New
ประเทศต้นกำเนิด Contact us
การสลักด้านบน email us
การแทนที่ See datasheet
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id:2.5V @ 2mA
Vgs (สูงสุด):+6V, -4V
เทคโนโลยี:GaNFET (Gallium Nitride)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:Die
ชุด:eGaN®
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs:22 mOhm @ 6A, 5V
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด):-
บรรจุภัณฑ์:Tape & Reel (TR)
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:Die
ชื่ออื่น:917-EPC2039ENGRTR
EPC2039ENGR
อุณหภูมิในการทำงาน:-40°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:Surface Mount
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds:210pF @ 40V
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs:2nC @ 5V
ประเภท FET:N-Channel
คุณสมบัติ FET:-
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On):5V
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss):80V
คำอธิบายโดยละเอียด:N-Channel 80V 6.8A (Ta) Surface Mount Die
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส:6.8A (Ta)
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ

ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ EPC2039ENGRT

ภาพ รุ่นผลิตภัณฑ์ ผู้ผลิต ลักษณะ ดู
EPC2035 Image EPC2035 EPC TRANS GAN 60V 1A BUMPED DIE การสอบสวน
EPC2045ENGRT Image EPC2045ENGRT EPC TRANS GAN 100V BUMPED DIE การสอบสวน
EPC2038 Image EPC2038 EPC TRANS GAN 100V 2.8OHM BUMPED DIE การสอบสวน
EPC2036ENGRT Image EPC2036ENGRT EPC MOSFET N-CH 100V 1.7A DIE การสอบสวน
EPC2039 Image EPC2039 EPC TRANS GAN 80V BUMPED DIE การสอบสวน
EPC2049ENGRT EPC TRANS GAN 40V BUMPED DIE การสอบสวน
EPC2037ENGR Image EPC2037ENGR EPC TRANS GAN 100V BUMPED DIE การสอบสวน
EPC2051ENGRT Image EPC2051ENGRT EPC TRANS GAN 100V DIE CU PILLAR การสอบสวน
EPC2036 Image EPC2036 EPC TRANS GAN 100V 1A BUMPED DIE การสอบสวน
EPC2034ENGR Image EPC2034ENGR EPC TRANS GAN 200V 31A BUMPED DIE การสอบสวน
EPC2040ENGR Image EPC2040ENGR EPC TRANS GAN 25V BUMPED DIE การสอบสวน
EPC2100 Image EPC2100 EPC TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID การสอบสวน
EPC2040 Image EPC2040 EPC MOSFET NCH 15V 3.4A DIE การสอบสวน
EPC2046ENGRT Image EPC2046ENGRT EPC TRANS GAN 200V BUMPED DIE การสอบสวน
EPC2047ENGRT Image EPC2047ENGRT EPC TRANS GAN 200V BUMPED DIE การสอบสวน
EPC2037 Image EPC2037 EPC TRANS GAN 100V 550MOHM BUMPED DI การสอบสวน
EPC2050ENGRT Image EPC2050ENGRT EPC TRANS GAN 350V BUMPED DIE การสอบสวน
EPC2034ENGRT Image EPC2034ENGRT EPC TRANS GAN 200V 31A BUMPED DIE การสอบสวน
EPC2040ENGRT Image EPC2040ENGRT EPC TRANS GAN 15V BUMPED DIE การสอบสวน
EPC2038ENGR Image EPC2038ENGR EPC TRANS GAN 100V 0.5A BUMPED DIE การสอบสวน

ข่าว Latest