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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > EPC2039ENGRT
EPC2039ENGRT
EPC2039ENGRT
Modèle de produit:
EPC2039ENGRT
Fabricant:
EPC
La description:
TRANS GAN 80V 6.8A BUMPED DIE
Statut RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
la quantité en dépôt:
67831 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Temps de production:
4-8 weeks
Fiche technique:
EPC2039ENGRT.pdf
Enquête

introduction

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Spécifications

Numéro de pièce interne RO-EPC2039ENGRT
État Original New
Pays d'origine Contact us
Top Marking email us
Remplacement See datasheet
Vgs (th) (Max) @ Id:2.5V @ 2mA
Vgs (Max):+6V, -4V
La technologie:GaNFET (Gallium Nitride)
Package composant fournisseur:Die
Séries:eGaN®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:22 mOhm @ 6A, 5V
Dissipation de puissance (max):-
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:Die
Autres noms:917-EPC2039ENGRTR
EPC2039ENGR
Température de fonctionnement:-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:210pF @ 40V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:2nC @ 5V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):5V
Tension drain-source (Vdss):80V
Description détaillée:N-Channel 80V 6.8A (Ta) Surface Mount Die
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:6.8A (Ta)
Email:[email protected]

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