ภาษาไทย
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Svenska Ελλάδα Български език✕
เกี่ยวกับเรา | ติดต่อเรา | ขอใบเสนอราคา |
บ้าน > ศูนย์ผลิตภัณฑ์ > Discrete Semiconductor ผลิตภัณฑ์ > ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFET - Single > EPC2023ENGR
EPC2023ENGR
EPC2023ENGR
รุ่นผลิตภัณฑ์:
EPC2023ENGR
ผู้ผลิต:
EPC
ลักษณะ:
TRANS GAN 30V 60A BUMPED DIE
สถานะ RoHS:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณในสต็อก:
40709 Pieces
เวลาจัดส่ง:
1-2 days (We have stocks to ship now)
เวลาในการผลิต:
4-8 weeks
แผ่นข้อมูล:
EPC2023ENGR.pdf
การสอบสวน

บทนำ

We can supply EPC2023ENGR, use the request quote form to request EPC2023ENGR pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number EPC2023ENGR.The price and lead time for EPC2023ENGR depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# EPC2023ENGR.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

ขนาด

หมายเลขชิ้นส่วนภายใน RO-EPC2023ENGR
เงื่อนไข Original New
ประเทศต้นกำเนิด Contact us
การสลักด้านบน email us
การแทนที่ See datasheet
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id:2.5V @ 20mA
Vgs (สูงสุด):+6V, -4V
เทคโนโลยี:GaNFET (Gallium Nitride)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:Die
ชุด:eGaN®
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs:1.3 mOhm @ 40A, 5V
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด):-
บรรจุภัณฑ์:Tape & Reel (TR)
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:Die
ชื่ออื่น:917-EPC2023ENGRTR
EPC2023ENGRT
อุณหภูมิในการทำงาน:-40°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:Surface Mount
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds:2300pF @ 15V
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs:20nC @ 5V
ประเภท FET:N-Channel
คุณสมบัติ FET:-
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On):5V
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss):30V
คำอธิบายโดยละเอียด:N-Channel 30V 60A (Ta) Surface Mount Die
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส:60A (Ta)
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ

ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ EPC2023ENGR

ภาพ รุ่นผลิตภัณฑ์ ผู้ผลิต ลักษณะ ดู
EPC2025ENGR Image EPC2025ENGR EPC TRANS GAN 300V 4A BUMPED DIE การสอบสวน
EPC2024ENGR Image EPC2024ENGR EPC TRANS GAN 40V 60A BUMPED DIE การสอบสวน
EPC2022 Image EPC2022 EPC TRANS GAN 100V 3MOHM BUMPED DIE การสอบสวน
EPC2030 Image EPC2030 EPC MOSFET NCH 40V 31A DIE การสอบสวน
EPC2024 Image EPC2024 EPC MOSFET NCH 40V 60A DIE การสอบสวน
EPC2030ENGR Image EPC2030ENGR EPC TRANS GAN 40V 31A BUMPED DIE การสอบสวน
EPC2023ENG Image EPC2023ENG EPC TRANS GAN 30V 60A BUMPED DIE การสอบสวน
EPC2021 Image EPC2021 EPC TRANS GAN 80V 90A BUMPED DIE การสอบสวน
EPC2029ENGR Image EPC2029ENGR EPC TRANS GAN 80V 31A BUMPED DIE การสอบสวน
EPC2025 EPC TRANS GAN 300V 150MO BUMPED DIE การสอบสวน
EPC2020 Image EPC2020 EPC TRANS GAN 60V 90A BUMPED DIE การสอบสวน
EPC2023 Image EPC2023 EPC TRANS GAN 30V 60A BUMPED DIE การสอบสวน
EPC2029ENGRT Image EPC2029ENGRT EPC TRANS GAN 80V 31A BUMPED DIE การสอบสวน
EPC2021ENG Image EPC2021ENG EPC TRANS GAN 80V 60A BUMPED DIE การสอบสวน
EPC2020ENG Image EPC2020ENG EPC TRANS GAN 60V 60A BUMPED DIE การสอบสวน
EPC2024ENG Image EPC2024ENG EPC TRANS GAN 40V 60A BUMPED DIE การสอบสวน
EPC2020ENGR Image EPC2020ENGR EPC TRANS GAN 60V 60A BUMPED DIE การสอบสวน
EPC2021ENGR Image EPC2021ENGR EPC TRANS GAN 80V 60A BUMPED DIE การสอบสวน
EPC2022ENGRT Image EPC2022ENGRT EPC TRANS GAN 100V 60A BUMPED DIE การสอบสวน
EPC2029 Image EPC2029 EPC TRANS GAN 80V 31A BUMPED DIE การสอบสวน

ข่าว Latest