CD40107BM
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- CD40107BM
- ผู้ผลิต:
- TI
- ลักษณะ:
- IC GATE NAND 2CH 2-INP 8-SOIC
- สถานะ RoHS:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณในสต็อก:
- 42483 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- เวลาในการผลิต:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- CD40107BM.pdf
บทนำ
We can supply CD40107BM, use the request quote form to request CD40107BM pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number CD40107BM.The price and lead time for CD40107BM depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# CD40107BM.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation
ขนาด
| หมายเลขชิ้นส่วนภายใน | RO-CD40107BM |
|---|---|
| เงื่อนไข | Original New |
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| การสลักด้านบน | email us |
| การแทนที่ | See datasheet |
| แรงดันไฟฟ้า - พังทลาย: | 8-SOIC |
| การจับเวลา: | -, 68mA |
| สไตล์เชลล์: | 3 V ~ 18 V |
| ชุด: | 4000B |
| มิตเรียกการป้อนข้อมูล: | 3.5 V ~ 11 V |
| สถานะ RoHS: | Tube |
| อัตราส่วน - S / H: ADC: | 2 |
| โพลาไรซ์: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| ชื่ออื่น: | 296-25937-5 CD40107BM-ND |
| ปฐมนิเทศ: | 2 |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -55°C ~ 125°C |
| จำนวนบิตต่อธาตุ: | NAND Gate |
| ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 6 Weeks |
| หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต: | CD40107BM |
| ระดับตรรกะ - สูง: | 1.5 V ~ 4 V |
| คุณลักษณะเด่น: | Open Drain |
| ขยายคำอธิบาย: | NAND Gate IC 2 Channel Open Drain 8-SOIC |
| ลักษณะ: | IC GATE NAND 2CH 2-INP 8-SOIC |
| ปัจจุบัน - Quiescent: | 100ns @ 15V, 50pF |
| CMRR, PSRR (ประเภท): | 4µA |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ CD40107BM
ข่าว Latest
- จอภาพและบาลานเซอร์แบตเตอรี่ความแม่นยำสูงใหม่ของ TI สามารถปรับปรุงประสิทธิภาพของระบบจัดการแบตเตอรี่แบบมีสายและไร้สายได้
- TI เปิดตัวโซลูชัน BMS ไร้สายชั้นนำของอุตสาหกรรมเพื่อปฏิวัติการจัดการแบตเตอรี่รถยนต์ไฟฟ้า
- TI เปิดตัว Ethernet PHY คู่เดียวใหม่เพื่อขยายขอบเขตการใช้งานในโรงงานและการสร้างระบบอัตโนมัติ
- ตัวแปลงบัคเสียงรบกวนต่ำตัวแรกของ TI พร้อมการชดเชยลูกปัดเฟอร์ไรต์ในตัวช่วยลดความยุ่งยากในการออกแบบที่มีความแม่นยำสูง
- Texas Instruments (TI) ประกาศผลประกอบการประจำไตรมาสที่ 3 ของปี 2563 และผลตอบแทนของผู้ถือหุ้น
- TI เปิดตัว GaN FET สำหรับยานยนต์ตัวแรกที่มีไดรเวอร์ในตัวการป้องกันภายในและการจัดการพลังงานที่ใช้งานอยู่