CC1125DK
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- CC1125DK
- ผู้ผลิต:
- TI
- ลักษณะ:
- KIT DEV FOR CC1125
- สถานะ RoHS:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณในสต็อก:
- 56666 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- เวลาในการผลิต:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- CC1125DK.pdf
บทนำ
We can supply CC1125DK, use the request quote form to request CC1125DK pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number CC1125DK.The price and lead time for CC1125DK depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# CC1125DK.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation
ขนาด
| หมายเลขชิ้นส่วนภายใน | RO-CC1125DK |
|---|---|
| เงื่อนไข | Original New |
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| การสลักด้านบน | email us |
| การแทนที่ | See datasheet |
| ชนิด: | Transceiver, ISM |
| ที่จัดทำสารบัญ: | Board(s), Cable(s), Accessories |
| ชุด: | - |
| ชื่ออื่น: | 296-37491 CC1125DK-ND |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| ความถี่: | 868MHz |
| สำหรับใช้ร่วมกับ / สินค้าที่เกี่ยวข้อง: | CC1125 |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ CC1125DK
ข่าว Latest
- จอภาพและบาลานเซอร์แบตเตอรี่ความแม่นยำสูงใหม่ของ TI สามารถปรับปรุงประสิทธิภาพของระบบจัดการแบตเตอรี่แบบมีสายและไร้สายได้
- TI เปิดตัวโซลูชัน BMS ไร้สายชั้นนำของอุตสาหกรรมเพื่อปฏิวัติการจัดการแบตเตอรี่รถยนต์ไฟฟ้า
- TI เปิดตัว Ethernet PHY คู่เดียวใหม่เพื่อขยายขอบเขตการใช้งานในโรงงานและการสร้างระบบอัตโนมัติ
- ตัวแปลงบัคเสียงรบกวนต่ำตัวแรกของ TI พร้อมการชดเชยลูกปัดเฟอร์ไรต์ในตัวช่วยลดความยุ่งยากในการออกแบบที่มีความแม่นยำสูง
- Texas Instruments (TI) ประกาศผลประกอบการประจำไตรมาสที่ 3 ของปี 2563 และผลตอบแทนของผู้ถือหุ้น
- TI เปิดตัว GaN FET สำหรับยานยนต์ตัวแรกที่มีไดรเวอร์ในตัวการป้องกันภายในและการจัดการพลังงานที่ใช้งานอยู่