Новости
Toshiba запускает интеллектуальные устройства питания, которые помогают уменьшить площадь установки
- автор:ROGER
- Освободить:2023-03-14
Toshiba Electronic Component and Storage Device Co., Ltd. («Toshiba») объявил о запуске двух Smart Power Devices-TPD2015FN »и« TPD2017FN »для управляющего двигателя, резьбовых труб, ламп и других приложений (например, промышленное оборудование (такое в качестве промышленного оборудования (например, водителя промышленного оборудования воспринимаемой нагрузки, используемой в управлении логикой программирования).Выключатель с высоким краем (8 каналов) «TPD2015FN» и с низким уровнем экологического переключателя (8 каналов) «TPD2017FN» были отправлены сегодня.
Новый продукт использует процесс интеграции аналоговой устройства Toshiba (BICD) [1] для достижения сопротивления проводимости 0,4 Ом (типичное значение), которая более чем на 50%ниже, чем существующий продукт [2].Как TPD2015FN, так и TPD2017FN используют упаковку SSOP30 [3]. Установленная площадь составляет около 71%существующих продуктов [2] SSOP24 [4]. Высота составляет 80%от упаковки SSOP24, а расстояние между высоты тона снижается до 0,65 мм.Эти улучшения способствуют сущению размера дизайна.
Самая высокая рабочая температура нового продукта составляет 110 ° C, что выше существующего продукта [2] 85 ° C, который поддерживает приложения с более высокой рабочей температурой.Кроме того, два новых продукта построены в схемах защиты от перегрузки и перегрева, что помогает повысить надежность проектирования.
приложение:
-ЭМ программируемый логический контроллер
-Дон Строительный инструмент
-Форкорея / Сервер
-IO-LINK Устройство управления
характеристика:
-Встроенные -в n -канате MOSFET (8 каналов) и одноподобные ICS, которые управляют цепями
(TPD2015FN имеет встроенный встроенный насос.)
-ДДД SSOP30 упаковка, которая эквивалентна около 71%упаковки SSOP24
-Са -Вин Функция защиты (перегрев, перегрузки)
-Побата температура: топр (максимальное значение) = 110 ℃
-Поражая с низким сопротивлением: rds (ON) = 0,4? (Типичное значение) @VIN = 5V, TJ = 25 ℃, IOUT = 0,5A
Основные спецификации:
(Если нет других инструкций,@ta = 25 ℃)
|
Модель устройства |
TPD2015FN |
TPD2017FN |
||
|
Инкапсулировать |
SSOP30 |
|||
|
Абсолютное максимальное номинальное значение
|
Напряжение питания VDD (V) |
-0,3 до 40,0 |
-0,3 до 6.0 |
|
|
Входное напряжение VIN (V) |
-0,3 до 6.0 |
|||
|
Vddx-out-out-anteance vdss (v)- |
50.0 |
- |
||
|
Выходной сопротивление Vout (V) |
- |
50.0 |
||
|
Выходной ток IOUT (A) |
Внутреннее ограничение |
|||
|
Power Dissipation PD (W) |
1.8 |
|||
|
Температура рабочей температуры (℃) |
-40 до 110 |
|||
|
Jie температура TJ (℃) |
150 |
|||
|
Температура хранения TSTG (℃) |
-55 до 150 |
|||
|
Масштаб работы |
Рабочее напряжение питания VDD (OPR) (v) (v) |
@TJ = 25 ℃ |
От 8 до 40 |
От 2,7 до 5,5 |
|
Электрические характеристики |
Типичное значение (ω) направляющей сопротивления RDS (ON) |
@VDD = 12V (TPD2015FN) / 5V (TPD2017FN), Vin = 5v, IOUT = 0,5a, TJ = 25 ℃ |
0,40 |
|
|
Выходное количество |
8 |
|||
|
Защитная функция |
Нагревать |
|||
|
Защита от сверхтока |
||||
|
Запрос инвентаризации и покупка |
Купить онлайн |
Купить онлайн |
||
Примечание:
[1] Двойной полюс CMOS-DMOS
[2] существующие продукты Toshiba: TPD2005F и TPD2007F
[3] Пакет SSOP30: 9,7 мм × 7,6 мм × 1,2 мм (типичное значение)
[4] SSOP24 Пакет: 13,0 мм × 8,0 мм × 1,5 мм (типичное значение)
Для получения дополнительной информации о новых продуктах, посетите следующий веб -сайт:
TPD2015FN
https://toshipshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/product/optoelectronics/detail.tpd2015fn.html
TPD2017FN
https: // toship
Чтобы узнать о информации о приложении TPD2017FN, посетите следующий URL:
TPD2017FN Описание приложения
https: // toship