Nieuws
Toshiba lanceert intelligente stroomapparaten die helpen het installatiegebied te verminderen
- Auteur:ROGER
- Loslaten:2023-03-14
Toshiba Electronic Component and Storage Device Co., Ltd. ("Toshiba") announced the launch of two smart power devices-"TPD2015FN" and "TPD2017FN" for control motor, threading tube, lamps and other applications (such as industrial equipment (such als industriële apparatuur (zoals industriële apparatuurstuurprogramma's van perceptuele belasting die wordt gebruikt bij de programmeerlogische controle).De high -edge -schakelaar (8 kanalen) "TPD2015FN" en de low -edge -schakelaar (8 kanalen) "TPD2017FN" zijn vandaag verzonden.
Het nieuwe product maakt gebruik van het analoge apparaatintegratieproces van Toshiba (BICD) [1] om een 0,4Ω (typische waarde) geleidingsweerstand te bereiken, die meer dan 50%lager is dan het bestaande product [2].Zowel TPD2015FN als TPD2017FN gebruiken SSOP30 -verpakking [3]. Het geïnstalleerde gebied is ongeveer 71%van de bestaande producten [2] SSOP24 [4]. De hoogte is 80%van de SSOP24 -verpakking en de toonhoogte is gereduceerd tot 0,65 mm.Deze verbeteringen zijn bevorderlijk om de ontwerpgrootte te beperken.
De hoogste werktemperatuur van het nieuwe product is 110 ° C, wat hoger is dan het bestaande product [2] 85 ° C, dat toepassingen ondersteunt met een hogere werktemperatuur.Bovendien hebben de twee nieuwe producten -in overstroombescherming en oververhitting beschermingscircuits gebouwd, wat helpt de betrouwbaarheid van het ontwerp te verbeteren.
sollicitatie:
-Em programmeerbare logische controller
-Deon machine -tool
-Forcorroe / server
-Io-link bedieningsapparaat
kenmerk:
-De gebouwd -in -channel MOSFET (8 kanalen) en enkele chip ics die circuits regelen
(TPD2015FN heeft een gebouwde laadpomp.)
-Addd SSOP30 -verpakking, die gelijk is aan ongeveer 71%van de SSOP24 -verpakkingen
-In -in -in -protectiefunctie (oververhitting, overstroom)
-De werktemperatuur: topr (maximale waarde) = 110 ℃
-De lage -geleiderweerstand: RDS (aan) = 0,4? (Typische waarde) @vin = 5V, tj = 25 ℃, Iout = 0,5a
Hoofdspecificaties:
(Tenzij er andere instructies zijn,@ta = 25 ℃)
|
Apparaat model |
TPD2015FN |
TPD2017FN |
||
|
Inkapselen |
SSOP30 |
|||
|
Absolute maximale nominale waarde
|
Voedingsspanning VDD (V) |
-0.3 tot 40.0 |
-0.3 tot 6.0 |
|
|
Ingangsspanning Vin (V) |
-0.3 tot 6.0 |
|||
|
Vddx-outx resistance vdss (v)- |
50.0 |
- |
||
|
Uitgangsweerstand Vout (V) |
- |
50.0 |
||
|
Uitvoerstroom Iout (a) |
Interne beperking |
|||
|
Power Dissipation PD (W) |
1.8 |
|||
|
Werktemperatuur topr (℃ ℃ ℃ ℃ ℃ ℃ ℃ ℃ ℃ ℃ ℃ ℃ ℃ ℃ ℃ ℃ ℃ ℃ ℃ ℃ |
-40 tot 110 |
|||
|
Jie temperatuur TJ (℃) |
150 |
|||
|
Opslagtemperatuur TSTG (℃) |
-55 tot 150 |
|||
|
De reikwijdte van het werk |
Werk Voedtevoedingsspanning VDD (OPR) (V) (V) |
@Tj = 25 ℃ |
8 tot 40 |
2.7 tot 5,5 |
|
Elektrische kenmerken |
Typische waarde (ω) van de geleiderweerstand RDS (aan) |
@Vdd = 12v (TPD2015FN) / 5V (TPD2017FN), Vin = 5V, Iout = 0,5a, tj = 25 ℃ |
0,40 |
|
|
Outputhoeveelheid |
8 |
|||
|
Beschermende functie |
Warmte |
|||
|
Overstroombeveiliging |
||||
|
Inventarisquery en aankoop |
koop online |
koop online |
||
Opmerking:
[1] dubbele pool CMOS-DMOS
[2] De bestaande producten van Toshiba: TPD2005F en TPD2007F
[3] SSOP30 -pakket: 9,7 mm × 7,6 mm × 1,2 mm (typische waarde)
[4] SSOP24 -pakket: 13,0 mm × 8,0 mm × 1,5 mm (typische waarde)
Ga voor meer informatie over gerelateerde nieuwe producten naar de volgende website:
TPD2015FN
https://toshipshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/product/optoelectronics/detail.tpd2015fn.html
TPD2017FN
https: // toship
Ga naar de volgende URL voor meer informatie over de toepassingsinformatie van TPD2017FN:
TPD2017FN Toepassingsbeschrijving
https: // toship