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Toshiba lancia dispositivi di alimentazione intelligenti che aiutano a ridurre l'area dell'area di installazione

  • Autore:ROGER
  • Rilascio:2023-03-14

Toshiba Electronic Component and Storage Device Co., Ltd. ("Toshiba") ha annunciato il lancio di due dispositivi di alimentazione intelligente-"TPD2015FN" e "TPD2017FN" per il motore di controllo, il tubo di fila come attrezzature industriali (come il driver di attrezzature industriali del carico percettivo utilizzato nel controllo della logica di programmazione).L'interruttore ad alto flusso (8 canali) "TPD2015FN" e l'interruttore a basso interruttore (8 canali) "TPD2017FN" sono stati spediti oggi.

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Il nuovo prodotto utilizza il processo di integrazione del dispositivo analogico di Toshiba (BICD) [1] per ottenere una resistenza di conduzione di 0,4Ω (valore tipico), che è inferiore superiore al 50%rispetto al prodotto esistente [2].Sia TPD2015FN che TPD2017FN utilizzano l'imballaggio SSOP30 [3]. L'area installata è circa il 71%dei prodotti esistenti [2] SSOP24 [4]. L'altezza è l'80%del packaging SSOP24 e la spaziatura del passo è ridotta a 0,65 mm.Questi miglioramenti sono favorevoli a restringere le dimensioni del design.

La temperatura di lavoro più alta del nuovo prodotto è di 110 ° C, che è superiore al prodotto esistente [2] 85 ° C, che supporta applicazioni con temperatura di lavoro più elevata.Inoltre, i due nuovi prodotti hanno creato i circuiti di protezione e surriscaldamento, il che aiuta a migliorare l'affidabilità del design.

applicazione:

-Em controller logico programmabile

-Deon Machine Tool

-ForCorrrea / Server

-Io-Link di controllo

caratteristica:

-Il build -in n -channel mosfet (8 canali) e singoli chip ics che controllano i circuiti

(TPD2015FN ha una pompa di carica in costruita.)

-Addd Packaging SSOP30, che equivale a circa il 71%della confezione SSOP24

-Built -in Funzione di protezione (surriscaldamento, sovracorrente)

-La temperatura di lavoro: topr (valore massimo) = 110 ℃

-La resistenza a bassa guida: RDS (ON) = 0.4? (Valore tipico) @VIN = 5V, TJ = 25 ℃, Iout = 0,5a

Specifiche principali:

(A meno che non ci siano altre istruzioni,@ta = 25 ℃)

Modello del dispositivo

TPD2015fn

TPD2017fn

Incapsulare

SSOP30

Valore massimo assoluto

Tensione di alimentazione VDD (V)

-0.3 a 40.0

-0.3 a 6.0

VIN TENSIONE DI INGRESSO (V)

-0.3 a 6.0

VDDX-Outx Resistenza VDSS (V)-

50.0

-

VOUT RESISTENZA DI OUTTENZA (V)

-

50.0

Corrente di output Iout (a)

Restrizione interna

Potenza dissipazione PD (W)

1.8

TEMPERATURA DI LAVORO TOPR (℃)

-40 a 110

Jie Temperature TJ (℃)

150

Temperatura di conservazione TSTG (℃)

-55 a 150

La portata del lavoro

Tensione di alimentazione del lavoro VDD (OPR) (V) (V)

@Tj = 25 ℃

8 a 40

Da 2,7 a 5,5

Caratteristiche elettriche

Valore tipico (ω) della resistenza guida RDS (ON)

@VDD = 12V (TPD2015FN)

/ 5V (TPD2017FN),

Vin = 5V,

Iout = 0,5a, TJ = 25 ℃

0.40

Quantità di output

8

Funzione protettiva

Calore

Protezione eccessiva

Query e acquisto di inventario

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Nota:

[1] CMOS-DMOS a doppio polo

[2] Prodotti esistenti di Toshiba: TPD2005F e TPD2007F
[3] Pacchetto SSOP30: 9,7 mm × 7,6 mm × 1,2 mm (valore tipico)
[4] Pacchetto SSOP24: 13,0 mm × 8,0 mm × 1,5 mm (valore tipico)

Per ulteriori informazioni sui nuovi prodotti correlati, visitare il seguente sito Web:

TPD2015fn

https://toshipshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/product/optoelectronics/detail.tpd2015fn.html

TPD2017fn

https: // toship

Per conoscere le informazioni sull'applicazione di TPD2017FN, visitare il seguente URL:

Descrizione dell'applicazione TPD2017FN

https: // toship