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Toshiba startet intelligente Leistungsgeräte, um den Bereich des Installationsbereichs zu verringern

  • Autor:ROGER
  • Freigabe auf:2023-03-14

Toshiba Electronic Component and Storage Device Co., Ltd. ("Toshiba") kündigte die Einführung von zwei Smart-Power-Geräten an-"TPD2015FN" und "TPD2017FN" für Steuermotor, Fadenröhre, Lampen und andere Anwendungen (z. als industrielle Geräte (z. B. industrielle Gerätefahrer der Wahrnehmungsbelastung bei der Programmierlogikkontrolle).Der High -Oged -Switch (8 Kanäle) "TPD2015FN" und der niedrige Switch (8 Kanäle) "TPD2017FN" wurden heute versendet.

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Das neue Produkt verwendet den Analog Device Integration Process (BICD) von Toshiba [1], um einen Leitungswiderstand von 0,4 Ω (typischer Wert) zu erreichen, der mehr als 50%niedriger ist als das vorhandene Produkt [2].Sowohl TPD2015FN als auch TPD2017FN verwenden die SSOP30 -Verpackung [3]. Die installierte Fläche beträgt etwa 71%der vorhandenen Produkte [2] SSOP24 [4].Diese Verbesserungen sind der Verengung der Designgröße förderlich.

Die höchste Arbeitstemperatur des neuen Produkts beträgt 110 ° C, was höher ist als das vorhandene Produkt [2] 85 ° C, das Anwendungen mit höherer Arbeitstemperatur unterstützt.Darüber hinaus haben die beiden neuen Produkte einen Überstromschutz- und Überhitzungsschutzschaltkreise aufgebaut, um die Zuverlässigkeit des Designs zu verbessern.

Anwendung:

-Em programmierbarer Logikregler

-Deon -Werkzeugmaschine

-ForCorrhoe / Server

-IO-Link-Steuergerät

charakteristisch:

-The gebaut -in n -Channel -MOSFET (8 Kanäle) und Einzelchip -ICs, die Schaltkreise steuern

(TPD2015FN hat eine baute Ladungspumpe.)

-Addd SSOP30 -Verpackung, die etwa 71%der SSOP24 -Verpackung entspricht

-Built -in -Schutzfunktion (Überhitzung, Überstrom)

-Die Arbeitstemperatur: TOPR (Maximalwert) = 110 ℃

-The niedrige Widerstand

Hauptspezifikationen:

(Es sei denn, es gibt andere Anweisungen,@Ta = 25 ℃)

Gerätemodell

TPD2015FN

TPD2017FN

Kapiteller

SSOP30

Absolutes maximaler Bewertungswert

Stromversorgungsspannung VDD (V)

-0,3 bis 40,0

-0,3 bis 6.0

Eingangsspannung Vin (v)

-0,3 bis 6.0

Vddx-outx Resistenz VDSS (v)-

50.0

- -

Ausgangswiderstand Vout (v)

- -

50.0

Ausgabe aktueller iout (a)

Interne Einschränkung

Power Dissipation PD (W)

1.8

Arbeitstemperatur Topr (℃)

-40 bis 110

Jie Temperatur TJ (℃)

150

Lagertemperatur TSTG (℃)

-55 bis 150

Der Umfang der Arbeit

Arbeitsversorgungsspannung VDD (OPR) (v) (v)

@Tj = 25 ℃

8 bis 40

2.7 bis 5,5

Elektrische Eigenschaften

Typischer Wert (ω) des Führungswiderstands RDS (ON)

@Vdd = 12V (TPD2015FN)

/ 5V (TPD2017FN),

Vin = 5V,

Iout = 0,5a, tj = 25 ℃

0,40

Ausgangsmenge

8

Schutzfunktion

Hitze

Überstromschutz

Inventarabfrage und Kauf

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Notiz:

[1] Doppelpol CMOS-DMOS

[2] Toshibas vorhandene Produkte: TPD2005F und TPD2007F
[3] SSOP30 -Paket: 9,7 mm × 7,6 mm × 1,2 mm (typischer Wert)
[4] SSOP24 -Paket: 13,0 mm × 8,0 mm × 1,5 mm (typischer Wert)

Weitere Informationen zu verwandten neuen Produkten finden Sie auf der folgenden Website:

TPD2015FN

https://toshipshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/product/optoelectronics/detail.tpd2015fn.html

TPD2017FN

https: // toship

Um die Anwendungsinformationen von TPD2017FN zu erhalten, besuchen Sie die folgende URL:

TPD2017FN Anwendungsbeschreibung

https: // toship