PBRN113ES,126
- Тип продуктов:
- PBRN113ES,126
- производитель:
- NXP Semiconductors / Freescale
- Описание:
- TRANS PREBIAS NPN 0.7W TO92-3
- RoHS Статус:
- Без свинца / Соответствует RoHS
- Количество на складе:
- 82919 Pieces
- Срок поставки:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Сроки изготовления:
- 4-8 weeks
- Техническая спецификация:
- PBRN113ES,126.pdf
Введение
We can supply PBRN113ES,126, use the request quote form to request PBRN113ES,126 pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number PBRN113ES,126.The price and lead time for PBRN113ES,126 depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# PBRN113ES,126.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation
Спецификация
| Внутренний номер детали | RO-PBRN113ES,126 |
|---|---|
| Состояние | Original New |
| Страна происхождения | Contact us |
| Топ маркировки | email us |
| замена | See datasheet |
| Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс): | 40V |
| Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic: | 1.15V @ 8mA, 800mA |
| Тип транзистор: | NPN - Pre-Biased |
| Поставщик Упаковка устройства: | TO-92-3 |
| Серии: | - |
| Резистор - основание эмиттера (R2): | 1 kOhms |
| Резистор - основание (R1): | 1 kOhms |
| Мощность - Макс: | 700mW |
| упаковка: | Tape & Box (TB) |
| Упаковка /: | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
| Другие названия: | 934058999126 PBRN113ES AMO PBRN113ES AMO-ND |
| Тип установки: | Through Hole |
| Уровень чувствительности влаги (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Подробное описание: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 40V 800mA 700mW Through Hole TO-92-3 |
| DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce: | 180 @ 300mA, 5V |
| Ток - Коллектор Граничная (Макс): | 500nA |
| Ток - коллектор (Ic) (Макс): | 800mA |
| Номер базового номера: | PBRN113 |
| Email: | [email protected] |
Связанные части для PBRN113ES,126
Latest Новости
- NXP сотрудничает с Amazon Web Services (AWS) для расширения бизнес-возможностей в области подключенных транспортных средств
- NXP Semiconductors объявляет квартальные дивиденды
- NXP Semiconductors и Jefferies продемонстрируют обучение системам питания 5G RF
- NXP расширяет свои лидирующие позиции в инфраструктуре 5G с помощью многокристальных радиочастотных модулей второго поколения, которые увеличивают частоту, мощность и эффективность
- NXP анонсировала полный комплект решений для радарных датчиков, которые могут окружать автомобиль 360-градусным коконом безопасности.